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中电电气-单晶硅片参数
电池类型 a(mn) b(mn) c(mn) d(mn) e(mn) f(mn) g(mn) h(mn) i(mn) CSUN-HP-S125-Dia165-BB2 125.0±0.50 62.50±0.05 31.25±0.50 1.51±0.25 1.80±0.05 1.0±0.25 3.30±0.05 165.0±1.0 6.50±0.50 CSUN-SE-S125-Dia165-BB2 注:a---电池边长;b---正面主栅线(背面电极)中心间距;c---正面主栅线(背面电极)中心到电池边沿距离;d---细栅线末端到电池边沿距离;e---正面主栅线宽度;f---铝背场边到电池边沿距离;g---背电极宽度;h---电池对角线长度;i---背电极顶端到电池边沿距离.
? 电性能参数标准测试条件(STC) 光强:Standard intensity 1000 W/m2,光谱:AM1.5 spectrum,温度:25,测试方法:IEC60904-1 ?
CSUN-HP-S125-Dia165-BB2 Eff(%) Pm(Wp) Vap(V) lap(A) Voc*(V) lsc*(A) CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1850 18.50 2.86 0.515 5.56 0.63 5.86 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1825 18.25 2.83 0.515 5.49 0.63 5.80 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1800 18.00 2.79 0.515 5.41 0.63 5.71 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1775 17.75 2.75 0.515 5.34 0.62 5.72 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1750 17.50 2.71 0.515 5.26 0.62 5.64 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1725 17.25 2.67 0.515 5.19 0.62 5.56 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1700 17.00 2.63 0.515 5.11 0.62 5.47 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1675 16.75 2.59 0.515 5.04 0.62 5.39 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1650 16.50 2.55 0.515 4.96 0.62 5.31 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1625 16.25 2.52 0.515 4.89 0.61 5.33 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1600 16.00 2.48 0.515 4.81 0.61 5.25 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1575 15.75 2.44 0.515 4.74 0.61 5.16 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1550 15.50 2.40 0.515 4.66 0.61 5.08 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1525 15.25 2.36 0.515 4.58 0.61 4.99 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1500 15.00 2.32 0.515 4.51 0.61 4.91 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1475 14.75 2.28 0.515 4.53 0.61 4.82 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1450 14.50 2.25 0.515 4.36 0.60 4.84 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1350 13.50 2.09 0.515 4.06 0.60 4.49 CSUN-HP-S125-Dia165-BB2/1200 12.00 1.86 0.515 3.61 0.60 4.00 CSUN-SE-S125-Dia165-BB2 Eff(%) Pm(Wp) Vap(V) lap(A) Voc*(V) lsc*(A) CSUN-SE-S125-Dia165-BB2/1900 19.00 2.94 0.520 5.66 0.63 5.98 CSUN-SE-S125-Dia165-BB2/1875 18.75 2.09 0.520 5.58 0.63 5.90 CSUN-SE-S125-Dia165-BB2/1850 18.50 2.86 0.520 5.51 0.63 5.82 CSUN-SE-S125-Dia165-BB2/1825 18.25
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