第1章节常用半导体器件212二极管课件.ppt

第1章节常用半导体器件212二极管课件.ppt

  1. 1、本文档共38页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
3、二极管的主要参数 1.最大整流电流IF 2.最高反向工作电压UR 4、二极管的等效电路 5、稳压二极管及应用 1)稳压管符号 2) 稳压管的伏安特性曲线 3) 稳压管的主要参数: ①稳定电压UZ ②稳压电流IZ ③额定功耗PZM 4) 稳压管的稳压条件: (1) 必须工作在反向击穿状态; (2) 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。 P69 作业:习题1-2 1-3 1-5题 (做到书上随机抽查) 【例3】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V时输出UO的值。 (2)若UI为35V时负载开路,则会出现什么现象? 解题思路 ①假设稳压管不工作(开路),求出其两端电压,是否满足稳压条件; ②假设稳压管工作(稳压),看其是否满足稳压条件。 解:假设稳压管不工作 Uo′ UI为10V时 UO ′ = UI ·RL/(RL+R)=3.33V ∵ UO ′ <UZ ∴稳压管不工作,UO=3.33V 【例3】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)计算UI为10V时输出UO的值。 解:假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ′ = UI · RL/(RL+R)=6.7V UO ′ >UZ ∴ UO=6V 【例3】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 (1)计算UI20V时输出UO的值。 假设稳压管工作 IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA ∵ IZmin < IDZ < IZmax IDZ = IR- IL =6mA 解:UI为35V时,同理可求出: UO =6 V UO ′ >UZ ∴稳压管将因功耗过大而损坏 【例3】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 (1)计算UI为35V时输出UO的值。 (2)若UI为35V时负载开路,则会出现什么现象? 假设稳压管工作 IR=(UI-UZ)/R =29mA ∵ IDZ > IZmax IDZ = IR- IL =29mA (2)UI为35V时负载开路 内容回顾 1、半导体的独有特性:光敏、热敏、杂敏特性。 2、本征半导体的导电特性 1)半导体中含有两种载流子为电子和空穴; 2)本征半导体电子和空穴成对出现,浓度相等; 3) 半导体的导电性和温度有关。 注意:多数载流子的数量多少取决于半导体中掺入杂质的浓度,掺入杂质的浓度的浓度越高多数载流子的数量越多; 少数载流子的浓度多少取决于半导体所在环境的温度,半导体所在环境的温度高载流子的数量多。 3、杂质半导体 1)N型半导体:自由电子为多数载流子; 空穴为少数载流子。 2)P型半导体:空穴为多数载流子; 自由电子为少数载流子。 在纯净半导体中 (掺入5价元素) 在纯净半导体中 (掺入3价元素) 带正电吗? 4、PN结 (2) PN结加反向电压——截止。 (1) PN结加正向电压——导通; 2)PN结的导电特性—单向导电性。 1)PN结的形成:多数载流子的扩散运动(产生的原因?)与少数载流子的漂移运动(产生的原因?)达到动态平衡时,形成的稳定空间电荷区--- PN结。 1.2 半导体二极管 一、半导体二极管的结构、符号和分类 2、二极管的符号:文字(字母)符号--D P N 阳极 阴极 1.2 半导体二极管 1、基本结构:将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管。 由P区引出的电极为阳极(A) , 由N区引出的电极为阴极(K)。 D 3、分类 2 )按结构分: 1)按材料分:硅二极管、锗二极管。 ①点接触型二极管: 适用于小信号的整流和在高频检波等电路中工作。 ②面接触型二极管: 适用于在低频电路中工作,通常用作整流管。 ③平面型二极管: 在电路中用作脉冲数字电路中的开关管或大功率整流。 **二、伏安特性——二极管两端的电压与通过二极管电流的关系曲线,函数表示为:i = f(u)。 u i 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 死区电压 硅管:0~0.5V, 锗管:0~0.1V。 1、伏安特性曲线 反向截止 二极管加正向电压 二极管加反向电压 u i 导通压降: 硅管0.6~0.7V, 锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 死区电压 硅管:0~0.5V, 锗管:0~0.1V。 2、二极管的工作情况: 用特性曲线说明: 正向导通 正

文档评论(0)

精品课件 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档