第1章节常用半导体器件PrelectEdition课件.ppt

3．共基直流电流放大系数 当ICEO可忽略时， 4．共基交流电流放大系数? 近似分析中可以认为， ， 。 应当指出，β值与测试条件有关。一般来说，在iC很大或很小时，β值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内，β值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手册时应注意β值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。 二、极间反向电流 1．ICBO：ICBO是发射极开路时集电结的反向饱和电流。 2．ICEO：ICEO是基极开路时集电极与发射极间的穿透电流。 另外3．IEBO：IEBO是集电极开路时发射结的反向电流。 三、特征频率fT 由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时，集电极电流与基极电流之比不但数值下降，而且产生相移（详见第五章）。?下降到1的信号频率称为特征频率fT。 四、极限参数 1．极间反向击穿电压 晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。下面是各种击穿电压的定义： U(BR)CBO是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。 U(BR)CEO是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受反向电压。 U(BR)EBO是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。 对于不同型号的管子，U(BR)CBO为几十伏到上千伏，U(BR)CEO小于U(BR)CBO，而U(BR)EBO只有1伏以下到几伏（因为发射区掺杂浓度很高且基区很薄）。此外，集电极-发射极间的击穿电压还有：b-e间接电阻时的U(BR)CER，短路时的U(BR)CES，接反向电压时的U(BR)CEX。上述各击穿电压间一般有如下关系： U(BR)CBO > U(BR)CEX > U(BR)CES > U(BR)CER > U(BR)CEO 2．最大集电极电流ICM 在相当大的iC范围内? 值基本不变，但若iC的数值很大或很小? 值将变小。随着iC增大，使? 明显减小的iC即为ICM。一般指β下降到正常值的2/3时所对应的集电极电流。当iC >ICM时，虽然管子不致于损坏，但β值已经明显减小。因此，晶体管线性运用时， iC不应超过ICM 。 3．最大集电极耗散功率PCM晶体管工作在放大状态时，c结承受着较高的反向电压，同时流过较大的电流。因此，在c结上要消耗一定的功率，从而导致c结发热，结温升高。当结温过高时，管子的性能下降，甚至会烧坏管子，因此需要规定一个功耗限额。 PCM取决于晶体管的温升，与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。当硅管的结温度大于150摄氏度时，锗管的结温度大于70摄氏度时，管子特性明显变坏，甚至烧坏，对于确定型号的晶体管，PCM是一个确定值，即PCM = iC uCE =常数，PCM在输出特性坐标平面中是一条iC 与uCE 乘积为定值PCM的双曲线，如图1.3.7所示。曲线右上方为过损耗区。 图1.3.7 晶体管的安全工作区 1．3．5 温度对晶体管参数及特性的影响 温度对三极管特性的影响, 主要体现在ICBO、 β和uBE与iB的关系的变化上。 因为ICBO是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，所以温度对晶体管ICBO的影响类似对PN结IS的影响，温度每升高10℃， ICBO增大一倍。 uBE与iB的关系与PN结的电压电流关系类似。因此，与温度变化对PN结的影响类似，温度每升高1℃， uBE减小2~2.5mV。温度对β的影响表现为，β随温度的升高而增大，温度每升高1℃，β值增大0.5%~1% (即Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。 由于硅管的ICBO比锗管的小得多，所以从绝对数值上看，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 图1.3.8 温度对晶体管输入特性的影响 图1.3.9 温度对晶体管输出特性的影响 iB iC uBE uCE IB UBE2 UBE1 1．3．6 光电三极管与光电耦合器件 一、光电三极管 光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小，其功能可等效为一只光电二极管与一只晶体管相连，并仅引出集电极与发射极。 二、光电耦合器件 光电耦合器件是两端口器件，发光二极管作为输入回路，将电能转换为光能；光电三极管作为输出回路，将光能再转换为电能。 图3.1.5 光电耦合器件(a) 及其传输特性(b) 光电耦合器件的传输特性描述以发光二极管电流ID为参变量时，光电三极管集电极电流iC与管压降uCE的函数关系 (1.3.19) 与