第1章节基本半导体分立器件课件.ppt

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1.11 图1-55所示三极管各电极电流为I1=-2.04 mA、 I2=2 mA、 I3=0.05 mA, 问A、 B、 C各是三极管的哪个电极?是NPN管还是PNP管?该管的β值是多少? 1.12 测得放大电路中某三极管的三个电极对地电压如图1-56所示, 试区分此三极管的三个电极, 并判断它是硅管还是锗管? 1.13 三极管三个电极的对地电压如图1-57所示, 试判断各管处于什么状态?是硅管还是锗管? 图1-55 1.5.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管简称IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor)。 目前应用最广泛的是金属—氧化物—半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)绝缘栅场效应管, 简称MOSFET或MOS管。 因为它的栅极处于绝缘的状态, 所以叫做绝缘栅场效应管。 它是利用半导体表面的电场效应工作的, 也称表面场效应器件。 MOS管输入电阻更高, 可达10 15Ω以上, 并且便于集成, 是目前发展很快的一种器件。 绝缘栅场效应管也有N沟道和P沟道两种, 每一种又分为增强型和耗尽型两种。 所谓耗尽型就是当 uGS=0时, 存在导电沟道, 因此iD≠0; 所谓增强型就是当uGS=0时, 没有导电沟道, 即iD=0。 我们前面介绍的两种结型场效应管都属于耗尽型。 1. N沟道增强型MOS场效应管 1)N沟道增强型MOS场效应管的结构与电路符号 N沟道增强型MOS场效应管简称增强型NMOS管, 它的结构如图1-43(a)所示。 它是以一块掺杂浓度较低的、 电阻率较高的P型半导体为衬底, 在衬底上面制作两个高掺杂浓度的N +区域作为源极s和漏极d, 再在硅片上覆盖一层较薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层, 在此绝缘层上喷涂一层铝做栅极g, 最后引出电极封装而成。 由于栅极与源极、 漏极均无电接触, 故称为绝缘栅极。 其电路符号如图1-43(b)所示, 箭头方向是表示由P(衬底)指向N(沟道), 符号中的断线表示当 uGS=0时, 导电沟道不存在。 同样, 利用与增强型NMOS对称的结构可以得到增强型PMOS管, 其电路符号如图1-43(c)所示。 图1-43 增强型MOSFET的结构与电路符号 (a) 增强型NMOSFET的结构; (b) 增强型NMOSFET的电路符号; (c) 增强型PMOSFET的电路符号 2)增强型NMOS管的工作原理 如图1-44(a)所示, 给NMOS管加漏源电压UDD, 此时的栅源偏压uGS为零, NMOS管相当于在N+区与P型衬底之间形成两个背靠背串联的PN结, 所以流过管子的只是一个很小的PN结反向电流, 漏极电流几乎为零。 图1-44 增强型NMOSFET的电压控制作用 (a) uGS=0 V; (b) uGS=UGG>UGS(th); (c) 由于uDS增大引起夹断, iD恒定 3) 特性曲线 (1) 转移特性曲线。 图1-45(a)所示为某增强型NMOS场效应管的转移特性曲线。 当uGS<UGS(th)时, iD=0; 当uGS> UGS(th)时, 开始产生漏极电流, 并且随着uGS的增加而增大, 因此称之为增强型场效应管。 漏极电流iD的大小符合下列公式 iD=K(uGS-UGS(th))2(uGS≥UGS(th)) (1-31) 式中的K为一个常数, 可以从管子的转移特性曲线中求出。 比如在图1-45(a)所示的转移特性曲线中, UGS(th)=2 V, 当uGS=5 V时, iD=3 mA, 由式(1-31)可以解出K=0.333 mA/V2。 (2) 漏极特性曲线。 N沟道增强型场效应管的典型漏极特性曲线如图1-45(b)所示。 这个管子的开启电压UGS(th)为2 V, 所以当uGS>2 V时, 才开始产生iD电流。 它的漏极特性也分为可变电阻区、 放大区、 截止区和击穿区, 这里不再赘述。 图1-45 增强型NMOSFET的伏安特性曲线 (a) 转移特性曲线; (b) 输出特性曲线 4) 主要参数

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