半导体材料4讲晶体生长教程.pptVIP

区熔工艺流程 多晶硅棒预热 熔融成半球 熔接籽晶 缩颈 放肩 收肩合棱 等径 生长 收尾 单晶 降温出炉 性能测试 稍下压上轴使熔区饱满 硅棒、晶体同步下行并通过适当拉压上轴来控制晶体直径 轻拉上轴，使熔区逐步拉断最后凝成尖形 使用高频线圈加热硅棒，熔融硅在其表面张力作用下形成一个半球 将硅棒下移，使硅棒下部的　熔区与籽晶接触，熔接在一起 籽晶硅棒同步向下，造成饱满而不崩塌的熔区 籽晶向下，硅棒向上使熔区呈漏斗状 片状单晶的制备 照射在地球上的太阳能非常巨大，大约４０分钟照射在地球上的太阳能，便足以供全球人类一年的能量消费。可以说，太阳能是真正取之不尽，用之不竭的能源。而且太阳能发电绝对干净，不产生公害。所以太阳能发电被誉为最理想的能源。从太阳能获得电力，需通过太阳能电池进行光电变换来实现。 目前，太阳能电池主要有单晶硅、多晶硅、非晶态硅三种。单晶硅太阳能电池变换效率最高，已达２０％以上，但价格也最贵。 制备片状单晶可降低生产成本，提高材料的利用率，片状单晶的制法主要有： 枝蔓法和蹼状法　 斯杰哈诺夫法 EFG法 横拉法 枝蔓法是在过冷熔体中生长树枝状晶体，选取枝蔓籽晶和过冷液体接触，可生长成平行的，具有孪晶结构的双晶薄片。 孪晶是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶“ 蹼状法是以两枝