半导体二极管及其应用1节.pptVIP

* 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： * 半导体二极管图片 * * §2.1 伏安特性 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压UBR * §2.2 二极管的等效电路 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 * 4. 小信号模型 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） Q ?? * 叠加 ！！ * §2.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。 * 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。 * 4. 微变电阻 rD iD uD