半导体基础教程.pptVIP

* 模拟电子技术基础 主讲：邢毓华 辅导：郭庆吉 * 1.1半导体 基础知识 * .1本征半导体 一、结构·本征半导体 共价键晶体 原子浓度：T=300K,4.96×1022/cm3 常用半导体：＋4价:硅（Si），锗（Ge） 二、导电性能 本征激发：因为温度的作用，成对产生自由电子＆空穴对，即载流子（Carrier) 。 ——纯净无掺杂的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 * 自由电子浓度：ni；空穴浓度：pi ni＝pi，T=300K,ni=pi=1.4×1010/cm3 对比原子浓度： T=300K,4.96×1022/cm3 导电性能很差，且与环境（尤其是温度）关系很大。 三、特点 ni=pi 正比于温度：T 载流子数量少 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡! * .2杂质半导体 按一定的方式掺入有用的杂质，改变半导体的导电性能 一、N型 掺＋5，磷（P）；（砷As，锑Sb） 最外层有5个价电子，4个用于与半导体原子构成共价键，多余1个价电子成为自由电子。杂质离子为施主杂质正离子 多子：自由电子 T＝300K，ni＝6×1016/cm3 少子：空穴→本征激发形成。 相同的温度下，本征半导体内的空穴与杂质半导体内的少子空穴哪个浓度高？ * 二、P型 掺＋3，硼（B）、铝（