半导体激光器光刻工艺简化教程.pptVIP

* * * * * 半导体激光器光刻工艺 李璟 半导体激光器光刻工艺 光刻工艺步骤 808 大功率激光器光刻流程 光刻质量要求 光刻工艺步骤 以正型光刻胶为例： 808 大功率激光器光刻工艺 工艺步骤： 外延材料生长? 一次光刻（腐蚀台面） ?介质膜生长? 二次光刻（腐蚀介质膜） 808 大功率激光器光刻工艺 一次光刻 将外延层的帽层光刻腐蚀成条形，根据激光器功率不同，所用光刻版的条宽和腔长不同。功率越大，条宽越宽、腔长越长。 808 大功率激光器光刻工艺 二次光刻 将介质膜光刻腐蚀露出条形区，因此二次光刻版透光面与一次光刻版正好相反。同时二次光刻版的条形区（透光区）要比一次光刻时的条形略窄，要使氧化层覆盖好条形台面的边缘，以防电流从条形下面流入，造成分流，使工作电流增加、可靠性变差。 光刻质量要求（匀胶） 匀胶时避免灰尘、小颗粒进入胶层，否则会造成有杂质的区域因没有胶膜保护而被腐蚀掉；如果正好发生在条形台面上，会直接影响这部分管芯的特性参数。在湿度大的季节，为保证光刻胶与基片附着牢固，有时将片子放入表面处理剂中浸泡以增加粘附性能。 光刻质量要求（前烘） 前烘使光刻胶固化，温度要适当，大约90~100度，时间20分钟左右。 光刻质量要求（曝光） 曝光灯的光强会随着工作时间的