半导体技术教程七单元氧化课件.pptVIP

选择性氧化/局部氧化（LOCOS） 硅片上的选择性氧化区域是利用SiO2来实现对硅表面相邻器件间的电隔离。传统的.025μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。 浅槽隔离（STI） 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。STI技术中的主要绝缘材料是淀积氧化物。 7.9 氧化工艺 干氧 氧气直接通向高温氧化炉与硅反应，特点是氧化速率小，氧化层致密，非常适合MOS器件中栅极氧化中低于0.1微米的薄氧化层的生长。 湿氧 先让氧气通过气泡发生器，使氧中携带一定量的水汽（水汽含 量一般由水浴温度和气 原压力决定）。饱和情 况下氧化速率主要由温 度决定。 特点：氧化速率大，但氧化层结构疏松，质量 不如干氧。为了既保证氧化质量又提高氧化速率，通常采用：干氧+湿氧+干氧 的氧化工艺 加氯氧化 薄的MOS栅极氧化层质量要求很高，为了满足这一要求，通常采用加氯氧化法。在氧气中加入氯后，氯可以减少氧化层里的移动离子（Na）电荷，从而减少硅表面及氧化层的结构缺陷，即减少硅氧结合处的电荷。氧化时的氯气可以使用氯化氢、三氯乙烯、氯方等分解得到，也是通过气泡发生器以气态形式进入反应室。从安全和方便的角度讲，氯仿是比较好的氯源。 SiO2-Si界面 从单晶硅到无定形SiO2间的Si