半导体器材二节.pptVIP

产生复合与大注入影响 对于v3kT/q 复合电流 串联电阻和大注人效应 串联 大注入 在n端pn=nn 电流正比于 增长较缓慢 2.5.3 温度影响 扩散和复合产生电流大小和温度有关 硅二极管I，V和温度的关系 正向偏压 反向偏压 225 175 125 75 25 VF/V VR/V 225 175 125 75 25 对于一扩散电流占优势的单边p+-n，饱和电流密度JS和温度关系 对p+-n结在反向偏压 2.6 电荷储存与暂态效应 少数载流子的储存 扩散电容 概念当结处于正向偏压，中性区储存电荷的重新排列，对结电容会产生附加电容 理想二极 管电导G P-N结小信号等效电路 V I I Cd Cj G 暂态响应 + - VF I 基本开关电路 - + VR IF IR toff 0.1IR 由正向偏压到反向暂态响应 2.7 PN结的电击穿 击穿机制： 雪崩击穿 隧道击穿 一载流子产生 雪崩击穿条件 雪崩击穿通用公式 单边突变结 线性缓变结 硅 扩散结的雪崩击穿电压判断条件 考虑边缘效应的通用公式 隧道击穿 隧道穿透几率P： 隧道长度: 隧道击穿: VB4Eg/q 雪崩击穿： VB6Eg/q 2.8 异质结 不同材料组成的结 EC EC1 EF1 EV qx1 q qx1 q Eg2 EC2 EF2 EV2 EV1 真空能级 两个分离半导