半导体器材教程.pptVIP

  • 2
  • 0
  • 约4.68千字
  • 约 38页
  • 2018-04-19 发布于未知
  • 举报
IB 与UBE的关系曲线(同二极管) (1)输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压,硅管0.5V 工作压降: 硅管UBE ? 0.7V (2)输出特性(IC与UCE的关系曲线) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 40?A 60?A Q Q’ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时,IC只与IB有关,IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏,?IBIC,UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,,称为截止区。 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区 IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB , BE结正偏,BC结反偏 (2) 饱和区 IC达饱和, IC与IB不是?倍的关系, ?IBIC 。BE结正偏,BC结正偏 ,即UCE?UBE (UCE

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档