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作业: 2-3,2-4,2-8, 2-10,2-13, 2-19,2-28 该面电流在P点产生的磁感应强度: 无限大均匀导流面两侧的磁感应强度: 例8:试求电流为I, 半径为a 的小圆环在远离圆环处的磁感应强度。 解:先求 再求 ,选用球坐标系, 已知: 在直角坐标系中 所以: 如图: 其中: 可得: 当: 将: 得: 式中 为圆环的面积。 小电流环的磁矩: 因为 ,最后得: 二.麦克斯韦方程组的建立 (一)安培环路定律——麦克斯韦第一方程 (二) 法拉第电磁感应定律——麦克斯韦第二方程 (三)电场的高斯定律——麦克斯韦第三方程 (四)磁场的高斯定律——麦克斯韦第四方程 (五)电流连续性方程——麦克斯韦第五方程 (一)安培环路定律——麦克斯韦第一方程 1. 安培环路定律 已知:无限长载流直导线周围的磁感应强度为: 在真空中,磁场强度沿任意回路的线积分,等于该回路所限定的曲面上穿过的总电流。 引入一个新矢量 ,令 则: 矢量 称为磁场强度,单位为安培/米(A/m)。 若积分回路中包含多个电流则: 2. 位移电流 传导电流连续是安培环路定律成立的前提。 位移电流的提出: 在电容器两极板间,由于电场随时间的变化而存在位移 电流,其数值等于流向正极板的传导电流。 如图: 穿过 的传导电流为 ,则: 穿过 的传导电流为 ,则: 矛盾? S 平板电容器极板上的电荷: 位移电流的计算 传导电流: 位移电流: 位移电流密度: 引入一个新矢量 ,在真空中令 , 则位移电流密度表示为: 某曲面上的位移电流: 电位移矢量 3. 全电流定律 引入位移电流之后,穿过 S 面的总电流为: 总电流密度为: 某曲面上全电流 I 为: 全电流定律: 该方程称为麦克斯韦第一方程。 该式的物理意义:它表明磁场不仅由传导电流产生,也能由 随时间变化的电场,即位移电流产生。 (二) 法拉第电磁感应定律——麦克斯韦第二方程 1. 法拉第电磁感应定律 磁场中的一个闭合导体回路的磁通量发生变化时,回路中就产生了感应电流,表示回路中感应了电动势,且感应电动势的大小正比于磁通对时间的变化率 。 数学表达式为: E 该闭合回路中的感应电动势为: 闭合回路中的磁通量为: 可得: 引起磁通变化的原因: (2) 闭合回路与恒定磁场之间存在相对运动,这时回路中的感 应电动势称为动生电动势。 (3) 既存在时变磁场又存在回路的相对运动,则总的感应电动 势为: (1) 闭合回路是静止的,但与之交链的磁场是随时间变化的, 这是回路中产生的感应电动势称为感生电动势。 2. 法拉第电磁感应定律的推广 当空间某曲面内的磁通随时间变化时,意味着空间存在着感应电场,感应电场沿曲面边界的积分为该曲线上的感应电动势。 经麦克斯韦推广的电磁感应定律为: 该方程称为麦克斯韦第二方程。 该式说明:变化的磁场产生电场。即电场不仅由电荷源产生, 也可由时变的磁场产生。 (三)电场的高斯定律——麦克斯韦第三方程 若以该点电荷为中心,做一半径为R 的球面,则电场强度穿出该球面的通量为 如果闭合曲面内包含n个点电荷,则: 如果闭合曲面内含有连续分布的电荷,则: 该方程称为麦克斯韦第三方程。 该式表明:穿过任何闭合曲面的电通量等于该闭合曲面所包围 的净电荷。 数学表达式为: 该式表明: 通过任何闭合曲面的磁通量恒为零。磁力线总是连续的,它不会在闭合曲面内积累或中断,故称磁通连续性原理。 该方程称为麦克斯韦第四方程。 (四)磁场的高斯定律——麦克斯韦第四方程 (五)电流连续性方程——麦克斯韦第五方程 从封闭曲面流出的电流,必然等于封闭曲面内正 电荷的减少率: 设流出封闭曲面的电流为: 该封闭曲面内的总电荷为: 则: 该方程称为麦克斯韦第五方程。 该式表明: 从封闭曲面流出的电流,必然等于封闭曲面内正电荷的减少率,反之亦然。 (一)麦克斯韦方程组的积分形式: 一般情况: 无源的情况: 三、麦克斯韦方程组的积分形式和微分形式 恒定电磁场 (存在直流电流) 正弦电磁场 (存在时间因子 ) 注意:利用积分形式的麦克斯韦方程可直接求解具有对称性的场。 如:中心对称性场,轴对称性场,平面对称性场。 (二)麦克斯韦方程组的微分形式 积分形式: 微分形式: 注
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