材料化学第7章 无机非金属材料 课件.pptVIP

2. 砷化镓（GaAs）单晶 很可能成为继单晶硅之后 第二种最重要的半导体电子材料 宽禁带，高电子迁移——可以在较高的工作温度和工作频率下工作 (1)GaAs GaAs中电子的有效质量仅为自由电子质量的1/15， GaAs中电子速度更快——制造出速度更快、功能更强的计算机，高频通信信号的放大器 砷化镓中的电子激发后释放能量以发光的形式进行——制作半导体激光器和光探测器 3. GaN GaN作为第三代宽带半导体的典型代表，具有禁宽度大(Eg2.3eV)、击穿电场高、电荷饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优异特性。由于其显著物理特性，用GaN制作的器件在大功率、高温、高频和短波长应用方面的工作特性远优于Si、GaAs或InP材料制作的器件，应用领域极为广泛，在航天、航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化控制、雷达与通信、汽车电子等方面都可发挥重要作用。 一种可控性微结构多孔生物陶瓷。该陶瓷以β-磷酸三钙（β-TCP）为原料，经1100℃以上的高温烧结而成多孔生物陶瓷。 肱骨上端骨囊肿，病灶清除，植入生物陶瓷，并用外固定支架固定。 近惰性生医陶瓷 Nearly Inert Bioceramics 置于体液中非常稳定，几乎不会释出离子或与组织产生反应。 又分为非孔隙性与孔隙性陶瓷 氧化铝陶瓷 氧化锆陶瓷 玻璃生物陶瓷 表面活性生物陶瓷Surface-Active Bioceramics 置于体液中会和组织形成化学键结 氢氧基磷灰石 Ca10(PO4)6(OH)2 生物玻璃，如Na2O-CaO-P2O5-SiO2 2. 常用生物陶瓷及其制备 (1) 玻璃生物陶瓷 由结晶相和玻璃相组成，无气孔 结晶相含量一般为50%-90%，玻璃相含量一般为5%-50%，结晶相细小，一般小于1-2/μm，且分布均匀 机械强度高，热性能好，耐酸、碱性强 良好的生物相容性，无异物反应 SiO2-Na2O-CaO-P2O5系 Li2O-Al2O3-SiO2系 SiO2-Al2O3-MgO-TiO2-CaF系 玻璃生物陶瓷制备 关键晶化热处理阶段: A. 成核阶段：必须充分成核 B. 晶核生长阶段：控制晶核的成长 调节温度 加入成核剂 贵金属如金、银、铂等离子 TiO2、ZrO2、P2O5、V2O5、Cr2O3、MoO3、氟化物、硫化物等 配料制备 成型 加工 晶化热处理 再加工 (2) 氧化铝单晶生物陶瓷 用作人工关节柄 具有比较高的机械强度，不易折断 还可以作为损伤骨的固定材料 主要用于制作人工骨螺钉，比用金属材料制成的人工骨螺钉强度高 可以加工成各种齿用的尺寸小、强度大的牙根 与人体蛋白质有良好的亲合性能，结合力强，因此有利于牙龈粘膜与异齿材料的附着 氧化铝单晶生物陶瓷的制备： 提拉法 导模法 气相化学沉积生长法 焰熔法 (3) 羟基磷灰石生物陶瓷 合成的羟基磷灰石的结构与生物骨组织相似，因此具有与生物体硬组织相同的性能。 如Ca﹕P ≈ 1.67，密度 ≈ 3.14，机械强度大于10MPa，对生物无毒，无刺激，生物相容性好，不被吸收，能诱发新组织的生长。 应用： 牙槽、骨缺损、脑外科手术的修补、填充等； 用于制造耳听骨链和整形整容的材料； 制成人工骨核治疗骨结核。 羟基磷灰石生物陶瓷的制备 固相反应法 6CaHPO4?2H2O ? 4CaCO3 ＝ Ca10(PO4)6(OH)2 ? 4CO2↑? 4H2O↑ 水热反应法 6CaHPO4 ? 4CaCO3 ＝ Ca10(PO4)6(OH)2 ? 4CO2↑ ? 2H2O↑ 沉淀反应法 10Ca(NO3)2 ? 6(NH4)2HPO4 ? 8NH3?H2O＝ Ca10(PO4)6(OH)2 ? 20NH4NO3 ? 6H2O 7.4 半导体材料 Semiconductors 电导率介于绝缘体及导体之间 易受温度、照光、磁场及微量杂质原子影响 7.4.1 半导体材料概述 能带理论 合适的禁带宽度 高的载流子迁移率 一定的导电类型 适当的杂质浓度和相应的电阻率 较高的载流子寿命 半导体器件对材料的要求 7.4.2 半导体分类及特点 1. 元素半导体——Ge(锗)、Si(硅)、C(金刚石)、?-Sn(灰锡)、P(磷)、Se(硒)、Te(碲)、B(硼)等固体单质 本征半导体（ Intrinsic semiconductor）：不含杂质（掺杂剂） 掺杂半导体（ Extrinsic semiconductor）：本征半导体加入掺杂剂而形成 高纯半导体 掺杂 掺杂半导体 掺杂(doping): 在高纯半导体中有意识地加入少量杂质以提高载荷体数量 施主杂质（ n-型半导体）：ⅣA族元素（C、Si、Ge、Sn