单晶硅太阳能电池的研究分析.pptVIP

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单晶硅太阳能电池的研究分析.ppt

单晶硅太阳能电池的研究 单晶硅太阳能电池 发展背景 太阳能电池的发展历史 单晶硅太阳能电池的原理及结构 材料的制备及性能 研究现状 太阳能电池的应用 单晶硅太阳能电池的发展背景 随着上世纪化石能源的危机,人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力。已经成为越来越值得关注的社会与环境问题。 人类对可再生能源的需求不断增加。促使人们致力于开发新型能源。太阳在40min内照射带地球表面的能量可供全球目前能源消费的速度使用1年。合理的利用好太阳能将是人类解决能源问题的长期发展战略,是其中最受瞩目的研究热点之一。 太阳能电池的发展历史 从发现光伏现象至今,太阳能电池已经有170多年的发展历史 1839年法国科学家埃德蒙·贝克雷尔发现光伏现象。 38年后研制出第一片硒太阳电池,仅有1%的转化效率。 1945年美国贝尔实验室三位科学家制出单晶硅电池(4.5%),几年后迅速提升到10%,主要用于卫星,航天器。 上世纪70年代后,由于化石能源危机(石油、煤炭),再生资源被各国重视,尤其是太阳能电池,在此阶段,太阳能电池的工艺,材料研究得到迅速发展。 最近10年是世界光伏电池快速增长的时期,平均增长速度超过40% 研究现状 1,新型薄膜电池开发 薄膜太阳能电池是最富前途的下一代太阳能电池技术,它节省了硅原料的使用和硅片制造工艺。与目前常见的硅片太阳能电池相比,硅薄膜太阳能电池用硅量仅为前者的1%左右,可使每瓦太阳能电池成本从2.5美元降至1.2美元。此外,这种高科技新产品可与建筑物屋顶、墙体材料如玻璃幕墙融为一体,既可并网发电又能节约建筑材料、美化环境。 分类:非晶硅薄膜电池,多晶硅硅薄膜电池,有机染料敏化电池,铜铟锡(CIS)和锑化镉(CdTe),砷化镓III-V化合物薄膜电池 研究现状 2,超高级太阳能电池的探索 A,聚光太阳能(CPV)第三代聚光太阳能(CPV)发电方式,正逐渐成为太阳能领域的焦点。 CPV系统具有转换率优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23% 。 CPV B,纳米晶化学太阳能电池 在太阳能电池中硅系太阳能电池无疑是发展最成熟的,但由于成本居高不下,远不能满足大规模推广应用的要求。为此,人们一直不断在工艺、新材料、电池薄膜化等方面进行探索,而这当中新近发展的纳米TiO2晶体化学能太阳能电池受到国内外科学家的重视。 单晶硅太阳能电池的原理及结构 当入射光垂直p-n结面,如果结面较浅,光子将进入p-n结区,深入到半导体内部。能量大于禁带宽度的光子,本征吸收在结的两边产生的电子-空穴对靠半导体内形成的势垒分开到两极。 光激发时多数载流子浓度改变较小,少数载流子浓度变化却很大,p-n结势垒区内存在较强的内建电场,p-n结两边的少数光生载流子受该场的作用,向各自相反方向运动。p区的电子穿过p-n结进入n区;n区的空穴进入p区,使p端电势升高,n端电势降低,于是在p-n结两端形成了光生电动势,这就是p-n结的光生伏特效应。 单晶硅太阳能电池的原理及结构 单晶硅太阳能电池的制备 1、切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片; 2、清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30-50um; 3、制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面; 4、磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3-0.5um; 5、周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层; 6、去除背面PN+结常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结; 7、制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法; 单晶硅太阳能电池的制备 8、制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等; 9、烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上; 10、测试分档:按规定参数规范,测试分类。 太阳能电池的各组件的作用 1、钢化玻璃:其作用为保护发电主体 要求:透光率必须高,91%以上 2、EVA:用来粘结固定钢化玻璃和发电主体 3、电池片:主要作用就是发电 4、背板:密封、绝缘、防水 5、铝合金:保护层压件,起一定的密封、支撑作用 6、接线盒:保护整个发电系统,起到电流中转站的作用 7、硅胶:密封作用,用来密封组件与

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