材料制备技术3.3 低温合成.pptVIP

3.3.1 低温的获得、测量与控制 a.制冷浴 （1）冰盐共熔体系 将冰块和盐尽量弄细并充分混合（通常用冰磨）可达到比较低的温度，例如，下面一些冰盐混合物可达到不同的温度： 3份冰+1份NaCl（-21℃）； 3份冰+3份CaCl2（-40℃）； 2份冰+1份浓HNO3（-56℃） 3.3.1 低温的获得、测量与控制 a.制冷浴 (2) 干冰浴 升华温度达-78.3℃，用时常加一些惰性 溶剂，如丙酮、醇、氯仿等，以使它的导热 更好。 3.3.1 低温的获得、测量与控制 a.制冷浴 (3) 液氮 N2 液化的温度是-195.8℃，它是合成反应与物 化性能使用中经常用的一种低温浴，当用于 冷浴时，使用温度最低可达到-205℃ b.相变制冷浴 这种低温浴可以恒定温度。如CS2可达 到-111.6℃ ， 这个温度是标准气压下CS2的固 液平衡点。 （2）电阻温度计 利用感温元件的电阻与温度之间存在一定的关系而制成的。应选用电阻比较大、性能稳定、电阻与温度间具有线性关系的材料。 常用的有铂电阻温度计、锗温度计、碳电阻温度计、铑铁温度计等。 （4）红外辐射温度计 辐射式温度计是根据物体辐射的能量来测量其温度的传感器。 它属于非接触式，具有测温范围宽、反应迅速、热惰性小等优点。这种传感器适用于腐蚀性场合、运动状态物体的温度测量。缺点：精度不高、误差大。 （4）新型低温温度传感器的测量成果 俄罗斯利用声速在气体中与温度的关系，抑制了电声气温度计，测量误差约为0.01℃ 英国的低温气体温度计在2-20K温度范围内可达0.0005K的测量精度， 澳大利亚定容气体温度计在2-16K温度范围内精确度达±0.003K。 b、低温的控制 低温控制有两种，一是恒温冷浴，二是低温恒温器。恒温冷浴往往用相变致冷来实现。低温恒温器通常是利用低温流体或其他方法，使试样处在恒定的或按所需方式变化的低温温度下，并能对试样进行某种化学反应或某种物理量的测量。 3.3.2 低温合成 3. 钠的加入 加钠的速度使液氨缓和的沸腾。加完所有的钠大约 需要半小时，此时溶液的蓝色应该消失。 加完钠后，搬掉这一套管子，用一个橡皮塞塞住杜瓦瓶 口，接着放置这套装置1-2d，以便让氨挥发，在把这套 装置转移到惰性气体箱中，用长刮刀将氨基钠转移到另 一个密封的瓶子中。 注意：不能让空气接触氨基钠，因为氧易和氨基钠反应。 1、 液氨中的合成 2、 低温下稀有气体化合物的合成 3.3.2 低温合成 稀有气体是氦、氖、氩、氪、氙等六种元素，旧称 “惰性元素”。但“惰性气体”不惰。 a. 低温下的放电合成 1933年，Yost 等用放电法制备氟化氙，但未成功。 1963年，Kirschenbaum等人用放电法成功制备XeF4。 反应器直径6.5cm，电极表面直径2cm，相距7.5cm。 将反应器进入-78℃的冷却槽中，然后将1体积的氙和2 体积的氟在常温常压下以136cm3/h速度通入反应器。 2、 低温下稀有气体化合物的合成 3.3.2 低温合成 放电条件为：（1100V，31mA）~（2800V，12mA） 最终消耗14.20mmol氟和7.1mmol氙，生成7.07mmol （1.465g）的氟化氙。 为了测定产物的组成，用过量的汞和产物反应，生成 Hg2F2并放出氙，证明产物是XeF4 。 2、 低温下稀有气体化合物的合成 3.3.2 低温合成 在低温下XeF4与过量的O2F2反应时，则可被氧化 成XeF6，其反应为： b 低温水解合成 氙的氧化物尚不能有单质氙和氧直接化合而成，只能 由氟化氙转化而来，氙的氟氧化物也是由氟化氙转化 而获得。 2、 低温下稀有气体化合物的合成 3.3.2 低温合成 XeF4水解过程较为复杂，水解时发生歧化反应： XeF6水解机理较为简单，无歧化反应发生： XeOF4水解也可生成XeO3 2、 低温下稀有气体化合物的合成 3.3.2 低温合成 XeF4、XeF6水解反应极为剧烈，易引起爆炸。为了 减慢和便于控制反应速率，可先用液氮冷却氟化氙， 然后加入水，这时便形成凝固状态，逐渐加热使反 应缓慢进行，直至加热至室温。水解完毕后，小心 蒸发掉氟化氢和过量的水，便可得到潮解状的XeO3。 XeO4的制备： 2、 低温下稀有气体化合物的合成 3.3.2 低温合成 XeO4极不稳定，甚至在-40℃也能发生爆炸： C 低温光化学合成 因此，常在-78℃下保存。 1962年，Weeks等在-60℃下，用紫外光照射氪、氟 混合物，没有得到氟化氪。 1966年，Streng将氪和氟按1：1装入硬质玻璃管，在 常温常压下，用日光照