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GaN_AlN的形变势和应变层GaN_AlN异质结带阶的计算
第 20 卷第 1 期 半 导 体 学 报 . 20, . 1
V o l N o
1999 年 1 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S J an. , 1999
、 的形变势和应变层
GaN A lN
异质结带阶的计算
GaN A lN
何国敏 王仁智 吴正云 郑永梅 蔡淑惠
( 厦门大学物理系 厦门 36 1005)
( )
摘要 本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了 00 1 界面应变对 、 应变层
GaN A lN
的能带、平均键能E m 和带阶参数 Em v 的影响. 借助于带阶参数形变势的计算, 预言了不同生
长厚度情况下 应变层异质结价带带阶和导带带阶.
GaN A lN
PACC: 7 125C , 7 125T
1 引言
[ 1 ]
在异质结能带排列的平均键能理论计算方法中 , 价带带阶由带阶参数E m v = E m - E v
确定, 为价带顶, 平均键能 是布里渊区( ) 中所有允许 点的 4 个价带与 4 个较低
E v E m B Z k
( )
导带 共 8 个能带 本征值的平均值:
8
1
E m = E n (k ) ( 1)
8N ∑∑
n= 1 k
采用能带计算方法分别计算 、 两种材料的能带结构和平均键能之后, 就可以根据平均键
A B
能在异质结中“对齐”由两种材料的带阶参数确定 异质结的价带带阶:
A B
E ( B ) ( ) ( ) ( )
v A = E m v B - E m v A 2
因此, 要了解应变层异质结在不同应变条件下的E v 值, 首先要研究带阶参数
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