AnalogElectronicTechnology.课件03.pptVIP

第三章 半导体器件之三极管 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结型场效应管结构: 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理：1、以P沟道 UDS=0V时 P G S D UDS UGS N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 P G S D UDS UGS N N ID UDS=0V时 N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 P G S D UDS UGS N N UDS=0时 UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状 N N 越靠近漏端，PN结反压越大 ID P G S D UDS UGS UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 漏端的沟道被夹断，称为予夹断。 UDS增大则被夹断区向下延伸。 ID G S D UDS UGS UGSVp UGD=VP时 N N 此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 三、特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP 饱和漏极电流 夹断电压 转移特性曲线 一定UDS下的ID-UGS曲线 予夹断曲线 ID U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可变电阻区 夹断区 恒流区 输出特性曲线 0 N沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 UGS 0 ID IDSS VP * * §第三章 半导体三极管 § 3.1 基本结构和类型 引言：三极管分单极性（场效应管）与双极性-晶体三极管两类，本节主要讨论后者、结构性质、工作特点。其主要是通过半导体制作工艺将两个PN结制作在一小块半导体芯片上，由于两PN结互相影响而形成放大作用的电子器件。 一、结构：分三个区-基区b；极电区c；发射区e。对应引出三个电极为基极b，集电极c与发射极e。包含的两PN结命名为发射结（b—e间），集电结（b—C间）。符号如下： B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 N N P B E C 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 二、 二、类型 有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。 1.3.2 三极管的连接方式： 一、共发射极接法 二、共集电极接法 三、共基极接法 3.3 电流放大原理： 一、放大条件：其结构特点决定内含两个背靠背PN结，e区搀杂浓度高，b区薄而且搀杂浓度低，c区集电极面积大——电流放大内部条件。从外部讲，要使发射结正向偏置，极电结反向偏置。放大指三极管的对能量控制作用，能量来源于外部偏置直流电源。其本身相当于受控源—ccvs。放大本质将直流电源能量转变成交流能量加到信号上去。 二、晶体管内部载流子运动规律：NPN 1.发射结正偏，发射区电子不断向基区扩