在给定的一篇文献(见课程ftpbeginning.pdfVIP

MC projects Project1 在给定的一篇文献(见课程 ftp—beginning of the MC method.pdf) 的基础上，通过查找和 阅读相关资料，用一页A4 纸的篇幅简述 Monte Carlo 方法的起源和发展。 Project2 利用给定或自己编写的代码，比较两种 Monte Carlo 方法(简单抽样和 Metropolis 抽样)计 算 Pi 的收敛规律，研究Metropolis 抽样计算 Pi 的方法中步长的选取对结果的影响。 Project3 利用 /netlogo/models/run.cgi?MaterialSimGrainGrowth.905.622 或 /paulo/projects/materialsim/models/materialsim_grain_growth.html 的蒙 特卡洛模拟晶粒长大的 Java 应用程序研究材料的晶粒长大规律和三叉晶界的形态演变。 Project4 利用 /~peter/java/ising/keep/new/ising.html 的Java 应用程序或 给定的代码，研究材料的磁性转变规律。 1    MC Project 1 在给定的一篇文献 (见课程 ftp—beginning of the MC method.pdf) 的基础上， 通过查找和阅读相关资料，用一页A4 纸的篇幅简述 Monte Carlo 方法的起源和发展。 实验目的 1. 了解 Monte Carlo 方法的起源和发展； 2. 加深对 Monte Carlo 方法的理解； 2    MC Project 2 利用给定或自己编写的代码，比较两种Monte Carlo 方法(简单抽样和 Metropolis 抽样)计算 Pi 的收敛规律，研究 Metropolis 抽样计算 Pi 的方法中步长的选取对结果的影响。 实验目的 1. 比较简单抽样和Metropolis 抽样 Monte Carlo 方法计算π 的收敛规律； 2. 研究 Metropolis 抽样方法的步长选取对计算结果的影响。 实验原理 1. 简单抽样 Monte Carlo 方法计算值 在如图 1(a)所示的边长为 2 且含有内切圆的正方形中随机投点。实现随机投点的方法是，用随 机数产生程序（ran3 ）产生 0~1 的随机数 random 。然后通过2 random 1)产生-1~1 的随机数。 横坐标与纵坐标取上述随机数的点便是位于图 1(a)正方形中的随机点。设所投点数为 i，其中投在圆 内的点数为nhit 。则有： nhit 圆形面积 π ，当 i ∞时。 i 正方形面积 4 即，当投点数足够大时，π 4 nhit/i 。如图 1(b)所示，当i 10000时，π 3.1416 。 图 1 (a) 在含有内切圆的正方形中随机取点；(b) 当投点数达 10000 时， . 。（参考 \OriginPro75\Samples\Programming\ ） 2. Metropolis 抽样 Monte Carlo 方法计算值 在如图2 所示的边长为2 且含有内切圆的正方形中随机投一点a，作为起点，设点a 坐标为(x,y) 。 在以 a 为圆心 eps （步长）为半径的区域内随机投点。随机投点的方法是，横（纵）坐标取 xdummy ydummy x y eps 2 random 1。 假设所投点为b (xdummy,ydummy) ，判断b 点