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技术技术 | Technology – | Technology – GaNGaN 任意转移 GaN: 从 Nb2 N 上来释放 GaN 膜层 DAVID MEYER, BRIAN DOWNEY, D. SCOTT KATZER, MARIO ANCONA, SHAWN MACK, LAURA RUPPALT, 美国海军研究实验室 氮化镓（GaN ）器件正在改变我们的生活， 其中的主要障碍之一是在于，用于确保电 其中LED 是其领跑者。由于LED 富有竞 子材料高质量增长的衬底往往与关键性设计标的 争力的价格，极高的效率和快速响应的能力，已 （例如低热阻和成本）并不兼容。 被广泛地应用于家庭、办公室和公共空间的照明。 为了解决这个问题，目前，我们在美国海 此外，整个GaN 电子产品的市场也在显著地增长， 军研究实验室（THE U.S. NAVAL RESEARCH 尤其是将GaN 器件用于高效率的电源开关和射频 LABORATORY, NRL ）的小组已经开发出一种制 功率放大器等方面。在这一领域中，GaN 已使得 备器件的通用技术，它能将III-N 器件从昂贵的 DC-AC 转换器达到95% 的高转换效率成为可能， SiC 衬底上剥离释放，这一技术将有潜力应用于 来为太阳能光伏和电动/ 混合动力汽车提供电力。 独立的GaN 和AlN 器件结构的制作。 GaN 器件应用于雷达系统和通信网络的功率放大 实现这一技术的关键性的要素是Nb2N 薄层 器中，其RF 输出功率密度是传统III-V 化合物半 材料的性能，它具有几个重要的属性：Nb2N 与 导体（例如GaAs 和InP ）的10 倍。令人值得关 GaN 具有紧密的晶格匹配性，能与III-N 生长温 注的是，GaN 的应用几乎覆盖了所有的微波和毫 度相兼容，以及在GaN 、AlN 和SiC 上都可进行 米波频率范围。 选择性的蚀刻。使用Nb2N 薄膜作为牺牲层，工 尽管GaN 器件具有一系列的性能优势，但 艺十分简单，在完成前道工艺和良率筛选后，可 我们仍旧不能轻信这种宽带隙技术既能提供当今 利用标准的制造设备实现将III-N 器件结构层剥 混合信号系统所需的所有微电子功能，又能实现 离并将其转移到任何所需的衬底上。 功耗节约和成本低廉。在硅CMOS 所具备的技术 这种新技术将能激发出器件的多项潜能，包 先进性以及得到广泛应用的今天，我们又为什么 括通过改进器件的热管理、增加对衬底的循环使 要选择用GaN 来制造高密度数字逻辑或内存器件 用，进而来降低成本，提高分立器件的性能，还 呢？ 包括通过进行器件级的异构集成，来获得出色的 在电路设计师的理想世界中，最佳解决方案 混合电路性能。 的要义包括要将不同技术/ 材料实现无缝接合， 就像将五彩的乐高积木搭建成为一个完整的结构 Nb N 的研发 2 体。然而，这种异构整合的概念还远未得以完全 我们的工作目标集中在Nb N 的 相上，该 2 β 实现。