恒定电流的电场电流密度.PPT

再用恒等式 可将磁矢位的表示式变形为 图 3-14 磁化电流示意图 例 3 - 7 半径为a、高为L的磁化介质柱(如图 3 -15 所示)，磁化强度为M0(M0为常矢量，且与圆柱的轴线平行)，求磁化电流Jm和磁化面电流JmS。 图 3 – 15 例 3 - 7用图 解：取圆柱坐标系的z轴和磁介质柱的中轴线重合， 磁介质的下底面位于z=0处，上底面位于z=L处。此时，M=M0ez，由式(3 -52)得磁化电流为 在界面z=0上，n=-ez, 在界面z=L上，n=ez， 在界面r=a上，n=er, 3.6.3 磁场强度 在外磁场的作用下，磁介质内部有磁化电流Jm。 磁化电流Jm和外加的电流J都产生磁场，这时应将真空中的安培环路定律修正为下面的形式： 令 其中H称为磁场强度，单位是A/m(安培/米)。于是有 与上式相应的微分形式是 3.6.4 磁导率 M与H间的关系为 式中χm是一个无量纲常数，称为磁化率。非线性磁介质的磁化率与磁场强度有关，非均匀介质的磁化率是空间位置的函数， 各向异性介质的M和H的方向不在同一方向上。顺磁介质的χm为正， 抗磁介质的χm为负。这两类介质的χm约为 10-5量级。 式中，μr=1+χm，是介质的相对磁导率，是一个无量纲数；μ=μ0μr，是介质的磁导率，单位和真空磁导率相同，为H/m(亨/米)。 铁磁材料的B和H的关系是非线性的，并且B不是H的单值函数， 会出现磁滞现象，其磁化率χm的变化范围很大，可以达到106量级。 3.6.5 磁介质中恒定磁场基本方程 例 3 – 8 同轴线的内导体半径为a，外导体的内半径为b，外半径为c，如图 3 - 16 所示。设内、外导体分别流过反向的电流I， 两导体之间介质的磁导率为μ，求各区域的H、B、M。 图 3-16 同轴线示意图 解： 以后如无特别声明，对良导体(不包括铁等磁性物质)一般取其磁导率为μ0。因同轴线为无限长，则其磁场沿轴线无变化， 该磁场只有φ分量，且其大小只是r的函数。分别在各区域使用介质中的安培环路定律∮C H·dl=∫S J·dS，求出各区的磁场强度H， 然后由H求出B和M。 当r≤a时， 电流I在导体内均匀分布，且流向+z方向。由安培环路定律得 所以 式中： 对于无限长直导线(l→∞)，α1=π/2, α2=-π/2，其产生的磁场为 3.3 恒定磁场的基本方程 3.3.1 磁通连续性原理 磁感应强度在有向曲面上的通量简称为磁通量(或磁通)，单位是Wb(韦伯)，用Φ表示： 如S是一个闭曲面， 则 上式中， ，故可将其改写为 由矢量恒定式 则有 而梯度场是无旋的， 所以 使用散度定理， 得到 由于上式中积分区域V是任意的， 所以对空间的各点， 有 上式是磁通连续性原理的微分形式，它表明磁感应强度B是一个无源(指散度源)场。 3.2.2 安培环路定律 图 3-10 环路定律 假设回路C′对P点的立体角为Ω，同时P点位移dl引起的立体角增量为dΩ，那么P点固定而回路C′位移dl所引起的立体角增量也为dΩ′。-dl×dl′是dl′位移-dl所形成的有向面积。注意到R=r-r′， 这个立体角为 。 把其对回路C′积分，就得到P点对回路C′移动dl时所扫过的面积张的立体角，记其为dΩ， 则以上的磁场环量可以表示为 可以证明，当载流回路C′和积分回路C相交链时，有 当载流回路C′和积分回路C不交链时，有 这样当积分回路C和电流I相交链时，可得 (3 - 36) 当穿过积分回路C的电流是几个电流时， 可以将式(3 - 36)改写为一般形式： 根据斯托克斯定理，可以导出安培回路定律的微分形式： 由于 因积分区域S是任意的， 因而有 上式是安培环路定律的微分形式，它说明磁场的涡旋源是电流。我们可用此式从磁场求电流分布。对于对称分布的电流， 我们可以用安培环路定律的积分形式，从电流求出磁场。 例3-5 半径为a的无限长直导线，载有电流I，计算导体内、外的磁感应强度。 解: 在导线内电流均匀分布， 导线外电流为零， r ≤ a r>a 当r>a时， 积分回路包围的电流为I； 当r≤a时，包围电流为Ir2/a2。 所以当r≤a时， 当r>a时， 写成矢量形式为 r ≤ a r>a 3.4 矢 量