TFT-LCD_ARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * TFT-LCD工艺技术概要 SVA-NEC * 主要内容 一、TFT的基本构造 二、4Mask与5Mask工艺对比 三、ARRAY基板的工艺流程 四、TN与SFT工艺对比 五、其他 * 一、 TFT的基本构造 偏光板 TFT基板 TFT 背光源 偏光板 液晶 单像素 （旋转） TFT部位侧视 像素 TN GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 实际结构 * 一、 TFT的基本构造 GATE G-SiNx a-Si n+ a-Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO像素电极 GLASS 接触孔 G工程 I 工程 D工程 C工程 PI工程 * [ＧＬＡＳＳ] 成膜　CVD?Sputter [膜] Lithography [Glass] （a) (b) (c) (d) 曝光 [Mask] Array工程 显像 Etching (e) 剥离 反复 二、4Mask与5Mask工艺对比 * 二、4Mask与5Mask工艺对比 1.节省时间：1462-1398=64min 2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机 * 二、4Mask与5Mask工艺对比 4 Mask – D/I 工程 I-工艺 I-DE D-工艺 D-WE DI-工艺 D1-WE I-DE PR-DE D2-WE 曝光 曝光 曝光 5 Mask – D工程和I 工程 CH-DE CH-DE * 三、ARRAY基板的工艺流程 工艺名称 工艺目的 洗净 清洁基板表面，防止成膜不良 溅射（SPUTTER) 成Al膜、Cr膜和ITO膜 P-CVD 成a-Si膜、n+a-Si膜和SiNx膜 PR/曝光 形成与MASK图案相一致的光刻胶图案 湿刻（WE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜 干刻（DE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜 剥离 去掉残余的光刻胶 * 洗净 装料 周转盒 机械手 传送装置 UV 药液喷淋 刷洗 高压喷射 MS 气刀 传送装置 机械手 卸料 * ＵＶ 药液 刷子 高圧 ＭＳ Ａ／Ｋ Ｐ Ｄ Ａ 排 水 Ｐ 排 水 Ｐ 纯 水 Ｄ Ａ 洗净 功能 洗净对象 　作　　用 Ｕ　Ｖ 药　液 刷洗 高 压 喷射 Ｍ　Ｓ 氧化分解 溶　解 机械剥离 机械剥离 机械剥离 　有机物 (浸润性改善) 有机物 　微粒子 　(大径) 微粒子 (中径) 微粒子 　(小径) ＵＶ/Ｏ３ 溶　解 接触压 水压 加速度 cavitation 洗净 * Sputter TFT中Sputter薄膜的种类和作用 D - Cr PI - ITO G1 - AlNd G2 - MoNb 类型 名称 作用 G配线 MoNb/AlNd 传递扫描信号 D配线 Cr 传递数据信号 像素电极 ITO 存储数据信号 * Sputter设备 整体图（SMD-1200） 基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2） 搬送室(Tr) 成膜室（X1、X3） UpperSlot-Load (Heating) UnderSlot-Unload (Cooling) Sputter X1Type (1Target) S3 X1Ｔｙｐｅ 1sheet S4 X3Type 1sheet Max3sheet cassette1 20sheet cassette2 20sheet cassette3 20sheet cassette4 20sheet VacRob 2sheet AtmRob 2sheet Target Target L1-1 1sheet L1-2 1sheet L2-1 1sheet L2-2 1sheet target target Sputter X3Type (1~3Target) Cassette Loader Glass Size 1100×1300(mm) S1枚葉Sputter ULVAC SMD-1200 * PECVD プロセス ヒート トランスファー ＬＬ／ＵＬ ローダー 加热腔 工艺腔 装载台 纳入(大气到真空)/ 送出腔(真空到大气) 机械手 注：S1所用设备加热装置放在工艺室中，且只有两个工艺室 * PECVD 除害装置 （scrubber） ＭＦＣ ＭＦＣ ＭＦＣ 汽缸cabinet 气体BOX 气体吹出电极 （阴极） ヒーター 等离子体 Ｍ．ＢＯＸ Ｐ 控制 ＲＦ电源 下部电极 （阳极） 压力计 节流阀 干泵 气体供给 流量控制 ＲＦpower 压力控制 真空排气 特气对应 工艺腔体 （电极部） * InlinePR 旋转涂布单元 （洗净、涂布、预烘等） 搬送机械手 加热盘