模电教学课件第四章.ppt

(2) 输入电阻 根据微变等效电路，有 ※场效应晶体管具有输入电阻高的特点，但是由于偏置电阻并联的影响，其输入电阻并不一定高。 可采用下图所示电路提高场效应管放大电路的输入电阻。 电阻Rg1和Rg2经过一个较大电阻Rg接到栅极，因栅流等于0，Rg的串入不影响栅极电位。微变等效电路如图所示。 由微变等效电路可知 + - gs U gs m U g d R d s g + - + - i U o U g3 R g2 R g1 R L R 根据输出电阻的定义，令源电压等于0，负载电阻开路，并在输出端加一个测试电源，可得求输出电阻的微变等效电路。此时受控源相当开路。 (3) 输出电阻 4.3.2 场效应管共漏基本放大电路 一、静态分析 画直流通路，计算出静态工作点: 二、动态分析 (1) 电压放大倍数 Au为正，表示输出与输入同相；通常gmR?L?1，则Au小于1，且约等于1。 (3) 输出电阻 (2) 输入电阻 输入电阻由偏置回路电阻决定 一、静态分析 4.3.3 场效应管共栅基本放大电路 因场效应管共栅基本放大电路静态分析与共源放大电路相同，故不再赘述。 首先画出微变等效电路 二、动态分析 (1) 电压放大倍数 (2) 输入电阻 (3) 输出电阻 场效应管共栅基本放大电路的电压放大倍数为正，说明输入、输出同相；输入电阻小，输出电阻大。 场效应管基本放大电路的比较 几 ~ 几十 小于1、近于 1 几 ~ 几十 电 路 组态 性能 共 源 组 态 共 漏 组 态 共 栅 组 态 小 (一般几十欧以上) 很大 (几兆~几千兆欧) 很大 (几兆~几十兆欧) （几千欧） （几百欧） 大 大 小 （几千欧） 双极型晶体管与场效应管基本放大电路的比较 场效应管及其基本放大电路小结 1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大电路的偏置与BJT放大电路不同，主要有自给偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。 * * * * * * 同样信号源相当于开路，输出电流Io是流过电阻R的电流，与设定的输出电流方向相反（输出接信号）。 * * 输出电阻？？？？ * * 第4章 场效应管及其基本放大电路 引言 场效应管 场效应管基本放大电路 主要内容： 4.1 引言 结型场效应晶体管 N沟道 绝缘栅场效应晶体管 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型器件。 场效应管按结构可分为结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET。 场效应管三个电极：源极(s)、栅极(g)、漏极(d)，对应于晶体管的e、b、c； 场效应管三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 场效应管（单极型晶体管）∶ 体积小，重量轻，寿命长； 噪声小、热稳定性好、抗辐射能力强； 输入电阻大、低电压工作 4.2 场效应管（以N沟道为例） 4.2.1 场效应管基本概念 1. 结构和符号 在一块N型半导体的两侧制作两个高掺杂的P区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区连在一起称为栅极G，N型沟道的一端是漏极D，另一端是源极S。 4.2.2 结型场效应管 导电沟道 2. 工作原理 栅-源电压uGS对漏极电流iD的控制作用 耗尽层较窄，沟道较宽。 PN结反偏，耗尽层向中间靠拢，沟道变窄。 沟道合拢，发生夹断。 uGS=0V uGS<0V uGS=UGS(off) 提问：uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ 漏源电压uDS对漏极电流iD的影响 (UGS(off)<uGS<0) 漏极处出现夹断区，发生预夹断。 uGD=uGS-uDS>UGS(off) 可变电阻区 uGD=uGS-uDS=UGS(off) uGD=uGS-uDS<UGS(off) uGD＝UGS（off） uGD>UGS（off） uGD<UGS（off） uDS增大，iD增大。 uDS的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 3. 特性曲线 g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性曲线 预夹断轨迹，uGD