数字电路域逻辑设计7-2.pptVIP

7.2　顺序存取存储器（SAM） 7.2.1　动态CMOS反相器 7.2.2　动态CMOS移存单元 7.2.3　动态移存器和顺序存取存储器 Sequential Access Memory 7.2.1 动态CMOS反相器 　　由传输门和CMOS反相器组成。电路中T1、T2栅极的寄生电容C是存储信息的主要“元件”。 　　２．MOS管栅电容C的暂存作用 　　栅电容C充电迅速，放电缓慢，因此可以暂存输入信息。若每隔一定时间对C补充一次电荷，使信号得到“再生”，可长期保持C上的1信号，这一操作过程通常称为“刷新”。　　CP的周期不能太长，一般应小于１ms。 　　１．电路结构 图7-2-1 动态CMOS反相器 vI + – TG1 CP C R VDD T2 T1 vO CP ? + – 7.2.2 动态CMOS移存单元 动态CMOS移存单元由两个动态CMOS反相器串接而成。 　　当CP=1时，主动态反相器接收信息，从动态反相器保持原存信息；CP=0时，主动态反相器保持原存信息，从动态反相器随主动态反相器变化。每经过一个CP，数据向右移动一位。 主 从 1位 I TG1 CP C1 VDD T2 T1 O CP TG2 CP C2 VDD T4 T3 CP 图7-2-2 动态CMOS移存单元 7.2.3 动态移存器和顺序存取存储器 　　１．动态移存器 　　动态移存器可用动态CMOS移存