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基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计与实现

基于 和 结构的大容量 的设计与实现 SRAM DRAM FIFO -63- ●主题论文 基于 和 结构的大容量 SRAM DRAM FIFO 的设计与实现 杨 奇 杨 莹 , 华中科技大学 湖北 武汉 ( , ) 430074 摘要 分别基于 公司的 和 介绍了采用两种 : Hynix SRAMHY64UD16322A DRAMHY57V281620E, 不同的 结构 通过 来设计并实现大容量 的方法 RAM , CPLD FIFO 。 关 键 词: ; ; ;大容量 SRAM DRAM CPLD FIFO 中图分类号 文献标识码: 文章编号: ( ) :TP333 A 1006-6977200610-0063-04 Anewmethodofdesigningandimplementinghigh-capacity FIFObasedonSRAMandDRAM YANGQi,YANGYing , , (HuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan430074China) Abstract:Anewmethodofdesigningandimplementinghigh-capacityFIFO(FirstInFirstOut)memo- rybyCPLDbasedonSRAM(HY64UD16322A)andDRAM(HY57V281620E)isintroduced. Keywords:SRAM;DRAM;CPLD;high-capacityFIFO 静态随机存取存储器 SRAM (StaticRandom 1 引言 AccessMemory)是一种非常重要的易失性存储器, 是一种具有先进先出存 它的速度非常快 并且能在快速读取和刷新时保持 FIFO(FirstInFirstOut) , 储功能的部件 在高速数字系统当中通常用作数据 数据完整性 本系统 器件采用 公司的 , 。 SRAM Hynix 缓存 在高速数据采集 传输和实时显示控制领域 [2] 是高速 超低功 。 、

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