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东南大学毕业设计（论文）报告;一、论文的主要内容;然后叙述了整个全差分放大电路的工作原理，通过增加共模反馈网络来检测两个输出端的共模电平，有根据的调节放大器的偏差电流以及电压增益；最后介绍了电路仿真器Virtuoso Spectre的特点，参照各个器件的不同参数仿真出各个放大级的波形和输入、输出差分信号的波形，并用candance软件对器件进行版图制作，同时对相关的尺寸要求也进行了说明。;1、集成电路的发展2、Candence 软件的应用与介绍;3、电路分析;（2）、负反馈放大器;（3）、带共模反馈的差分放大电路分析;图3.22; 图3.22中，P1280、P1312、P1311和有源负载N1126、N1127构成第一级差分放大，N1235和1236均为共栅放大级，N1233和N1234均为共源放大级，C54、 C55、C57和C58均为频率补偿电容，R1392和R1390是共模反馈采样电阻，P582-G端为基准电位。在R1392和R1390的作用下将Vout与基准电位比较，差值电位VGS-Vth调整电压增益。; 上图使用了两级全差分运算放大器。该放大器的结构使用了折叠式共源共栅运放。具有较大的输出电压摆幅，但是这个优点时以较大的功耗，较低的电压增益和较低的极点频率和较高的噪声为代价得到的。 在高增益全差分放大器中，输入级的差分MOS管和有源负载的失配会对使得全差分运放的共模输出电平不稳定。我们为了使全差分运放的输出共模电平的电位达到一个固定值，我们加入了一个共模反馈网络。 ;4、电路仿真和版图制作;?、 基区电阻;?、电容;?、CMOS管 在画CMOS版图时，只需确定扩散区的尺寸。 该尺寸的确定主要有以下规则： 多晶的宽度L：一般为最小沟道尺寸，即工艺中的最小特征尺寸； 扩散区的长度H：根据电路中的所设计的MOS管的宽长比确定H=（W/H）*L； 扩散区的最小宽度：根据接触孔的大小以及接触孔到有源区的最小间距C及接触孔至多晶的最小间距T之和来确定； 接触孔的大小由工艺要求决定； 有源区引出的铝线宽度必须满足对接触孔的最小外围。;p-MOS管 如图所示P-MOS管做在n-well里，在衬底（n-well）上注入N+，并将 其置高电位，使阱与源、漏之间的二极管截止，起到隔离和保护的作用。;n-MOS管 如图所示N-MOS管直接做P衬底上，源极与漏极注入N+，源极接GND。; 在版图设计中要细致解决两方面问题：总体布局和器件的个体的设计问题：而布局问题的关键是要解决其对称性问题。尤其在全差动电路中的不对称性会产生输入参考失调电压，因而限制了可检测的最小信号电平。所以在版图设计时要尽可能注意版图中的对称性，以最大限度的减小失调电压。同时版图的对称性设计还可以抑制共模噪声和偶次非线性效应。;如下图是带有共模反馈的CMOS集成差分放大电路的版图;The end!