第三章 电磁场中的输运现象.pptVIP

第三章??? 电磁场中的输运现象 §1 载流子的漂移运动 §2 半导体的主要散射机构 §3 关于迁移率的讨论 §4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §5 霍耳效应 ?上一章: 平衡统计问题 ?这一章: 在外电场(以及外磁场)作用下,载流子的运动—电荷的输运问题 电子器件通常是通过载流子输运（Carrier transport）实现信息的传输、处理、存储的，因此，了解载流子输运规律是研究半导体器件性能的基础。 ? 本章讨论主要限于以下条件: ? 温度是均匀的; ? 样品均匀掺杂; ? 外场是弱场(弱电场, 弱磁场) § 1 载流子的漂移运动 (1)????迁移率 (2) 欧姆定律 ★ 迁移率 无外场时,半导体中的载流子作无规则的热运动 在外电场下，载流子受到电场力F. 总的效果是,载流子在电场力的作用下作定向运动—漂移运动： dv/dt=(1/m*)F 由于散射(碰撞)的存在,载流子的动量不会无限地增加. 其速度的统计平均值—漂移速度: vd 当外加电场不是太大,可有 vd ?ε 记作: vd =με μ-迁移率（cm2/v?s)