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附件1 2009年项目指南说明 集成电路装备 项目任务：65nm PVD设备研发与应用 项目编号：2009ZX02001 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发面向65nm极大规模集成电路生产线的PVD设备，取得核心自主知识产权，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，并通过65纳米的大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在65nm集成电路大生产企业取得5台以上应用。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备产业化能力和经验。 执行期限：2009－2012年 项目任务：65nm互连镀铜设备研发与应用 项目编号：2009ZX02002 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发面向65nm极大规模集成电路生产线的镀铜设备，取得核心的自主知识产权，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过65纳米的大生产线考核及用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在65nm集成电路大生产企业取得5台以上应用。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，组织产学研用联盟联合承担项目。研发团队应有稳定的队伍并有国际前沿技术研发能力，需要具备知识创新能力，具备一定的产业化能力和经验。 执行期限：2009－2012年 项目任务：65nm快速热退火设备研发与应用 项目编号：2009ZX02003 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发面向65nm／300mm集成电路生产线的快速热退火设备，取得核心的自主知识产权，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过65纳米的大生产线的考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在65nm集成电路大生产企业取得3台以上应用。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研联盟联合承担项目。 执行期限：2009－2012年 项目任务： 90－65nm 匀胶显影设备研发与应用 项目编号：2009ZX02004 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发90－65nm极大规模集成电路制造用匀胶显影设备，取得核心的自主知识产权，满足90－65纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过大生产线考核和用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在65nm集成电路大生产企业取得3台以上应用。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。 执行期限：2009－2012年 项目任务： 65nm清洗及化学处理设备开发与产业化 项目编号：2009ZX02005 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：研究开发65nm极大规模集成电路生产线清洗及化学处理系列设备，取得自主创新突破，满足65纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过大生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在65nm集成电路大生产企业取得5台以上应用。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的集成电路装备企业或企业性质的研究所，并组织产学研用联盟联合承担项目。 执行期限：2009－2012年 项目任务：集成电路生产全自动光学测量设备研发与应用 项目编号：2009ZX02006 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：开发90－65nm集成电路生产线用全自动光学测量设备，满足膜厚、线宽、图形形貌等工艺测量要求，取得自主创新突破，满足90－65纳米主流工艺的相关参数要求，性能指标达到同类产品国际先进水平，通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力，在集成电路生产线获得5台以上应用。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校，并组织产学研用联盟联合承担项目。 执行期限：2009－2012年 项目任务：CD-SEM工艺检测技术与设备研究 项目编号：2009ZX02007 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：突破超精密快速扫描、高速图像采集与处理技术，完成检测线宽达到90－65nm的CD-SEM样机研制，取得自主创新突破，通过生产线考核与用户认证，具备产业化能力及市场竞争力。 项目承担单位要求：主承担单位要求是独立法人的企业、科研院所和高校，并组织产学研联盟联合承担项目。 执行期限：2009－2012年 项目任务：射频与数模混合信号集成电路测试系统开发 项目编号：2009ZX02008 项目类别：产品开发与产业化 项目目标：面向大规模集成电路产品，开