2章 半导体三极及应用.ppt

第2章 半导体三极管及应用 2.1 半导体三极管 三极管的结构特点 1) 掺杂浓度：发射区很高，基区很低； 2) 厚度：基区很薄，只有几个微米； 3) 结面积：集电结大，发射结小。 2.三极管的基本工作原理 2）三极管内部载流子的运动过程 3）三极管的电流分配及放大作用 2.1.2 半导体三极管的伏安特性曲线 2.1.3 常用三极管 2.2 基本共射放大电路的组成及工作原理 2.2.2 基本共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的分析方法 2.3 放大电路的分析方法 2)直流等效电路和交流等效电路 2.用等效电路法分析放大电路 2.用等效电路法分析放大电路 2.用等效电路法分析放大电路 【例2. 1】 在图2-14所示电路中，已知VCC=12V，Rb=500k?， Rc=3k ? ，RL=? ，?=90，用等效电路法求: （1）静态工作点Q； （2） 、 和 2.3.2 图解法 2.用图解法分析放大性能 2.用图解法分析放大性能 说 明 2）静态工作点变化对放大性能的影响 2）静态工作点变化对放大性能的影响 图解法与等效电路法的比较 2.4 共集电极电路和共基极电路 1.静态分析 1.静态分析 2.动态分析 2.动态分析 【例2.3】 在图2-20电路中，已知： 三极管的?=40， UBEQ=0.7V ， VCC=10V， Re=5.6k? ， Rb=240k? ， RL=?。试估算静态 工作 点， 并计算电压放大倍数、 输入电 阻和输出电阻。 2.4.2 共基极电路 2.4.3 三种组态电路的性能比较 三、三种接法的比较：空载情况下 接法 共射 共集 共基 Au 大 小于1 大 Ai 大(β) 大 ( 1＋β) 小于1 (?) Ri 中 很大 小 Ro 大 小 大 频带 窄 中 宽 2.5 场效应管及放大电路 2. 分压式偏置电路 ＊2.6 晶闸管及应用 ＊2.6 晶闸管及应用 2. 单结晶体管振荡电路 UGS= UGS(th) 图2-31 N沟道增强型管的漏极特性曲线 iD/mA UGS=1V 2V 3V 4V uDS /V 0 放 大 区 夹断区 预夹断轨迹 可变电阻区 （2）输出特性 输出特性曲线描述当栅-源电压uGS一定时，漏极电流iD与漏-源电压uDS之间的函数关系，即 与双极型三极管类似，对应于一个uGS，就有一条曲线，因此输出特性曲线为一族曲线。 （2-35） 在输出特性曲线中，可以将场效应管分为三个工作区： (1) 可变电阻区 这是uDS较小的区域。在该区域uGSUGS(th)，且uGD= uGS- uDS ≥UGS(th)，场效应管内部漏-源极之间存在导电沟道，且厚度较均匀，当uGS一定时，iD与uDS呈线性关系，其相应直线的斜率受uGS控制，这时场效应管漏-源之间相当于一个受电压uGS控制的可变电阻，其电阻值为相应直线斜率的倒数。 (2) 放大区 这是uDS较大的区域。在该区域uGSUGS(th)，且uGD= uGS- uDSUGS(th)，场效应管内部漏-源极之间靠近漏极处存在夹断区域，类似双极型三极管反向偏置的集电结，具有很强的收集电子的能力。导电沟到呈楔形且与源极融为一体。iD仅受uGS控制而与uDS线基本无关，曲线近似为一族平行于横轴的直线。在这一区域场效应管的漏-源极之间相当于一个受电压uGS控制的电流源，故也称为恒流区，场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域。uGD=UGS(th)为可变电阻区与放大区分界，称为预夹断。 (3) 截止区 在该区域uGSUGS(th)，这时导电沟道消失，iD≈0，管子处于截止状态。uGS=UGS(th)为截止区与放大区分界。 (a) 结构示意图 (b) 电路符号 图2-32N沟道耗尽型型MOS场效应管 上述的增强型绝缘栅场效应管只有当uGS UGs(VTh)时才