非刚性核-壳结构psceo2复合微球的可控合成及其性能研究-controllable synthesis and properties of ps ceo 2 composite microspheres with non-rigid core-shell structure.docxVIP

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2018-05-29 发布于上海
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非刚性核-壳结构psceo2复合微球的可控合成及其性能研究-controllable synthesis and properties of ps ceo 2 composite microspheres with non-rigid core-shell structure.docx

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非刚性核-壳结构psceo2复合微球的可控合成及其性能研究-controllable synthesis and properties of ps ceo 2 composite microspheres with non-rigid core-shell structure

ABSTRACTPSmicrosphereswerepreparedbysoap-freeemulsionpolymerizationmethod.Core-shellstructuredPS/CeO2compositemicrospheresweresynthesizedbychemicalvapordepositionprocessusingceriumnitrateandhexamethylenetetramineasstaringmaterials.Themicrostructuresoftheas-preparedcompositemicrosphereswerecharacterizedbyX-raydiffraction(XRD),transmissionelectronmicroscopy(TEM),fieldemissionscanningelectronmicroscopy(FESEM),dynamiclightscattering(DLS),Fouriertransforminfraredspectroscopy(FT-IR)andthermalgravimetricanalysis(TGA).SilicondioxidedielectriclayerwerepolishedusingPS/CeO2microspheresasabrasives.Thetopmorphologies,surfaceroughness,surfaceprofilecurvewerecharacteredandanalysizedbyAFM.TheeffectsofthemicrostructureofcompositeabrasivesonCMPperformancewerediscussed.TheYoung’smodulusofPSmicrospheresandPS/CeO2compositemicrosphereswerecalculatedbyHertztheoryonthebasisofAFMforce-displacementcurves.Mainresultswereasfollows:Theas-preparedPSmicrospheresweremonodispersedandtheparticlesizesofPSmicrosphereswereabout120,170,220and250nm.TheparticlesizeofthePS/CeO2compositemicrosphereswereabout130-150,180-200,230-250and260-280nmandthePSparticlewasuniformilycoatedbyCeO2(about6-16nm).Theinfluerenceofthemicrostructureofcompositeabrasiveswereregulatedandcontrolledbytransformingtheprocessparametersofliquid-phasesynthesis.ThesurfaceofsilicadielectriclayerswasflatandhadlowerroughnessafterpolishedbyPS/CeO2compositeabrasives.Thepolishingperformanceusingacidslurry(pH=3)wasbetterthanthealkaline(pH=10).TheRaandRMSvaluewithin5μm×5μmareaofdielectriclayerpolished6byPS120/CeO2compositeabrasivesusingacidslurry(pH=3)was0.167and0.214nm,respectively.ThesurfaceroughnessvaluedecreasedwithdecreaseofthePScoresize.TheRaandRMSvaluewithin10μm×10μmareaofdielectriclayerafterpolishedbyPS120/CeO212compositeabrasiveswas0.372and0.470nm,respectively.ThesurfaceroughnessvalueincreasedandthendecreasedwiththeincreaseofCeO2shellthickness.TheRaandRMSvaluewithin5μm×5μmareaofdielectriclayerafterpolished12byPS120/CeO2was0.170and0.227nm