第章-半导体的光学性质和光电器件_清华大学半导体物理与器件.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 第8章-半导体的光学性质和光电器件_清华大学半导体物理与器件 半导体的光学性质和光电器件 ?光吸收 ?光探测器和太阳能电池?光发射 ?发光二极管 ?半导体激光器 ?图像传感器 1 z半导体光电器件的应用领域： 光纤通讯 显示和光源 成像 z主要的半导体光电器件： 光探测器 发光二极管 半导体激光器成像器件 z半导体光电器件重要的波长范围： 可见光区 近红外区2 3. 半导体中的光吸收 在光的作用下，半导体中的电子由能量较低的状态跃迁到能量较高的状态。 半导体中的吸收机构：本征吸收（或基本吸收）、子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收、晶格吸收等。 6激 3.2 本征吸收谱及其特点??温度对本征吸收限(长波边)的影响??直接禁带半导体：α大，变化迅速；??间接禁带半导体：“肩型” 结构。 8 3.3 直接跃迁和间接跃迁 电子吸收光子的跃迁应满足能量守衡和准动量守衡。设价带k 状态的电子，跃迁到导带k’状态，应满足：KKE(k′)?E(k)==ωKKKKKK=k′?=k==kl或：k′?k=klKK（=kl光子准动量，kl光子波矢） 光子波矢与波长关系为kl= 2π/λ， Eg～eV，λ0 = 1.24/Eg～μm，kl～104cm－1；简约布里渊区k 值范围2π/ a，～108cm－1。kllt;lt; k，即k’=k，可以忽略光子的准动量。只吸收光子的跃迁，跃迁前后k 不变，称为竖直跃迁或直接跃迁。9 直接禁带半导体的本征吸收为竖直跃迁。例如GaAs 。 10 间接禁带半导体（例如Si、Ge），实验发现本征吸收限仍然成立等于禁带宽度。表明跃迁前后k 值发生了变化。kl可以忽略。k 的变化由声子 提供。 11 有声子参与的跃迁： ??能量守恒： ?E(kK′)?E?K(kK)==ω±Eq?准动量守恒： k′?kK=kK l±kK q Eq为声子能量，kq为声子波矢，±号分别表示吸收、放出声子。Eq= ？较高频率的光学波， νl ～1013/s，Eq= hνl ～0.04eV；光子最低能量hν0=Eg～eV量级。即 Eqlt;lt;=ω0 声子的能??可以忽略。 忽略声子能量和光子准动量，得 ?KK??能量守恒：E(k′)?E(k)==ω??准动量守恒： kK′?kK=±kK q12 不仅需要光子，还需要声子协助的跃迁称为非竖直跃迁或间接跃迁。 竖直跃迁是一级过程，非竖直跃迁是二级过程，所以非竖直跃迁几率lt; 竖直跃迁几率。 半导体光电器件要选用直接禁带半导体。提高效率。 3.4 半导体中的其它吸收 3.4.1 激子吸收 固体能带论中没有考虑电子、空穴的相互作用，因此禁带中没有能级。电子和空穴之间存在库仑相互作用，它可导致电子和空穴形成束缚态。这种束缚态称为激子。 13 3.4.2 自由载流子吸收 导带电子的光吸收通常在能带内跃迁； 价带空穴的光吸收，对Ge、Si等常见半导体，通常在子带之间跃迁； 3.4.3 杂质吸收 中性杂质吸收；电离杂质吸收 15 3.4.4 晶格吸收 光子能量→晶格振动能量（声子）；谱线为吸收峰，对应不同的声子及其组合；Ge、Si等非极性半导体中，晶格吸收较弱，离子晶体中晶格吸收强。（正、负离子（电耦极子）振动频率和电磁波频率相等时，共振吸收） 光探测器 光探测器是指用二极管（或晶体管）来测量光能的大小。光探测器的输出信号（电流）是光强的函数。光探测器是光纤通讯中光接收机的核心部分。 16 1. 光探测器的工作原理 光探测器实际上就是一个反偏的二极管。hνgt; Eg的光照射半导体，在半导体中引起本征吸收，产生过剩载流子（电子-空穴对）。 只有在结区和能够到达结区的过剩电子和空穴能够被结区电场分开，形成光电流。 17 2. 光探测器的结构和设计考虑一个pn结。光从顶部入