多晶硅减反射复合结构的制备与性能_张力典.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 多晶硅减反射复合结构的制备与性能_张力典 第３３卷　第６期 年月光　学　学　报Ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．６，多晶硅减反射复合结构的制备与性能 ２１张力典１　沈鸿烈１，　岳之浩 （２１南京航空航天大学材料科学与技术学院，江苏南京２１００１６南京航空航天大学纳米智能材料器件教育部重点实验室，江苏南京２１００１６） 摘要　结合传统的混合酸腐蚀法与Ｎ在多晶硅表面制备了减反射复合结构。研究了Ｎｉ辅助腐蚀法，ｉ溅射时间对多晶硅表面反射率、形貌以及光致发光性能的影响。用分光光度计测量了多晶硅表面的反射率，用扫描电镜观察了表面形貌，并用光致发光仪测试了表面的光致发光谱。研究发现，经过混合酸腐蚀与Ｎｉ辅助腐蚀的共同作用 在多晶硅表面形成了一种附有细小针柱状微结构的“形腐蚀坑的复合结构，理论和实验分析表明这种复合结后，Ｕ” 构具有良好的陷光效果。当溅射Ｎ双重腐蚀后的多晶硅表面在３ｉ的时间为５００ｓ时，００～９００ｎｍ波长范围内的平均反射率最低，仅为１０．１％。 关键词　薄膜；光电子学；多晶硅；Ｎ复合结构；减反射ｉ辅助腐蚀； ：／中图分类号　ＴＭ９１４．４ 文献标识码　Ａ ｄｏｉ１０．３７８８ＡＯＳ２０１３３３．０６３１００２ ＰｒｅａｒａｔｉｏｎａｎｄＰｒｏｅｒｔｆＡｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅＣｏｍｌｅｘＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｎ ｐｐｙｏｐ ＭｕｌｔｉｃｒｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎＳｕｒｆａｃｅ　　ｙ １１２１ＺｈａｎＬｉｄｉａｎｈｅｎＨｏｎｌｉｅｕｅＺｈｉｈａｏ　Ｓ　　Ｙ　ｇｇ　 １　， ２　ＣｏｌｌｅｅｏＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ　ＴｅｃｈｎｏｌｏａｎｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏＡｅｒｏｎａｕｔｉｃｓａｎｄＡｓｔｒｏｎａｕｔｉｃｓ， 　　ｇｆ　ｇｙ，Ｎｊｇ　ｙｆ　　Ｎａｎｉｎ１００１６，Ｃｈｉｎａｉａｎｓ???２ｊｇ，ＪｇｏｒＫｅＬａｂｏｒａｔｏｒＩｎｔｅｌｌｉｅｎｔＮａｎｏ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓｏｔｈｅ　ＭｉｎｉｓｔｒｏＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＮａｎｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｏ 　ｆｙｙｇｆｙｆｊｇ　ｙｆ ａｎｄＡｓｔｒｏｎａｕｔｉｃｓ，Ｎａｎｉｎ１００１６，ＣｈｉｎａＡｅｒｏｎａｕｔｉｃｓｉａｎｓｕ２　　ｊｇ，Ｊｇ ＡｂｓｔｒａｃｔｃｏｍｂｉｎｉｎｎｉｔｒｉｃａｃｉｄｅｔｃｈｉｎａｎｄＮｉａｓｓｉｓｔｅｄｅｔｃｈｉｎｈｅａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅｃｏｍｌｅｘｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｎ　Ｂ － 　　ｙｇｇｇ，ｔｐ ｍｕｌｔｉｃｒｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｕｒｆａｃｅｉｓｏｆｔｈｅｓｕｔｔｅｒｉｎｔｉｍｅｏｆＮｉｏｎｔｈｅｉｎｃｌｕｄｉｎｒｅａｒｅｄ．Ｅｆｆｅｃｔｓｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ 　ｙｐｇｇｐｐｐ　 ，ｍｓｕｒｆａｃｅｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅｏｒｈｏｌｏａｎｄａｒｅｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅｏｆｔｈｅｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｒｏｅｒｔ 　　ｐｇｙｐｐｐｙ　　 ｍｕｌｔｉｃｒｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｉｓａｎａｌｚｅｄｂｓｅｃｔｒｏｈｏｔｏｍｅｔｅｒ．Ｔｈｅｍｏｒｈｏｌｏｉｅｓａｒｅｏｂｓｅｒｖｅｄｂｓｃａｎｎｉｎ ｙｙｙｐｐｐｇｙｇ　　 ｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏａｎｄｔｈｅｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｒｏｅｒｔｉｅｓａｒｅａｎａｌｚｅｄｂｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｓｔｅｍ． ｐｙｐｐｐｙｙｐｙ　　 ｉｔｓＩｔｉｓｆｏｕｎｄｔｈａｔＵ－ｓｈａｅｄｅｔｃｈｉｎｗｉｔｈｍａｎｎｅｅｄｌｅｌｉｋｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｉｎｓｉｄｅａｒｅｆｏｒｍｅｄａｆｔｅｒｔｈｅｃｏｍｂｉｎｅｄｎｉｔｒｉｃ 　－ 　　ｐｐｇｙ　　 ｅｔｃｈｉｎａｎｄＮｉａｓｓｉｓｔｅｄｅｔｃｈｉｎｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｉｓｋｉｎｄｏｆｃｏｍｌｅｘｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｃａｎｓｉｎｉｆｉｃａｎｔｌａｃｉｄ　　－ 　　ｇｇ．Ｔｐｇｙ　 ｒｅｄｕｃｅｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ．Ｔｈｅｍｉｎｉｍｕｍｓｕｒｆａｃｅｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅｉｎｔｈｅｒａｎｅｆｒｏｍ３００ｎｍ