纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 纳米磨料在二氧化硅介质CMP中的作用分析 檀柏梅等：纳米磨料在二氧化硅介质ＣＭＰ中的作用分析 ８８１ 纳米磨料在二氧化硅介质ＣＭＰ中的作用分析宰 檀柏梅，牛新环，时慧玲，刘玉岭，崔春翔 （河北工业大学微电子研究所，天津３００１３０） 摘要：二氧化硅是目前Ｉｃ生产中应用最广泛的层间介质，为满足光刻的要求，必须采用化学机械抛光（ＣＭＰ）工艺对介质表面进行平整化加工，分析了二氧化硅介质Ｃ醐Ｐ机理过程，指出了磨料是影响去除速率及表面状态的关键因素，并以自制纳米二氧化硅水溶胶配制抛光浆料进行Ｃ加Ｐ实验研究，采用这种高浓度、易清洗、低分散度的硅溶胶纳米磨料达到了较高的去除速率和较好的表面状态，有效地减少了表面划伤．另外还分析了磨料粒径、浓度及浆料的流速对ＣＭＰ的影响，并且对浆料中加入的表面活性剂的作用进行了讨论． 关键词： 化学机械抛光；纳米磨料；粒径；浓度；去 文献标识码：Ａ 料是将Ｓｉ０２分散在碱性介质中制成的悬浮体系，该类磨料由于受生产工艺条件的约束，具有颗粒硬度大、易团聚等缺点，因此在用于抛光时容易划伤抛光表面，且抛光后容易吸附，难于清洗。 在ＣⅫＰ工艺中磨料粒径太大容易造成表面划伤， 太小又影响抛光速率，所以在介质的Ｃ砌当中选用粒 径大小及浓度合适的硅溶胶纳米磨料至关重要。此外，浆料流速的控制和活性剂的添加也是至关重要的因素。但是这种方法也不可避免的引入了抛光后Ｓｉ０２介质层表面划伤严重、抛光液分散性差的问题。这些因素都大大制约了集成电路工艺的进一步发展。 中图分类耋速纛３。５．２ 中图分类号：ＴＮ３０５．２ １ ……………‘ ２ ｃＭＰ机理分析 在碱性条件下，二氧化硅介质抛光机理为：首先表 文章编号：１００１．９７３ｌ（２００７）增刊．０８８１．０４ 面通过化学反应生成易溶于水的表面水合层，然后通过 引言 抛光布和磨料的机械摩擦作用将水合层去除掉【３ｌ。基于以上分析，本研究采用自制的二氧化硅水溶胶作磨料进行实验分析。 在ＣＭＰ过程中，碱性抛光液水解Ｓｉ０２介质部分表面原子层，芯片氧化层表面下Ｓｉ—ｏ—Ｓｉ键的打开受到扩散入氧化层的水的控制。磨料中的水与氧化硅反应生 随着集成电路以每隔３年大约４倍的速度在递增，特征尺寸已由微米级降到亚微米及纳米级，为了保证光 刻的精度，对于最小特征尺寸在０．３５肛ｌ及以下的器件， 必须进行全局平面化，而化学机械抛光（ＣＭＰ）是最好的也是唯一的全局平面化技术【ｌ】，近年来已成为ＵＬＳＩ（甚大规模集成电路）制备中最关键的技术之一。影响ＣＭＰ去除速率和质量的最关键因素为抛光浆料，其中抛光浆料的化学活性与浆料中磨料的机械磨削力的有机配合才能实现ＣＭＰ的目标：高速率、低损伤、高平整、高洁净。 ＩＣ生产中应用最广泛的刀ＬＤ介质膜材料是依不同制造工艺要求采取相应淀积工艺的二氧化硅（Ｓｉ０２）及其衍生物（包括：Ｓｉ０２、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、Ｐｏｌｙｍ盯等），但是因为Ｓｉ０２介质中硅是最高价４价，且Ｓｉ０２的化学性质比较稳定，所以ＣＭＰ工艺中不能利用氧化还原反应方法，大多采用大粒径气相Ｃｅ０２或Ｓｉ０２（１３０～２００Ｉｌｍ）作磨料来提高抛光过程中的机械作用【２】，以此提高抛光速率，进而提高生产效率。采用Ｃｅ０２作磨料优点是速率快，但目前所用的ｃｅ０２磨料大都是机械磨碎形成的，它的主要缺点是颗粒粒径分散度大，粘度也较大，此外，它抛光时的高低选择比也较差。而采用气相Ｓｉ０２作磨 成氢氧键，由Ｓｉ—ｏ键转变为相对键能较低的Ｓｉ—０Ｈ， 将其转化为软质Ｓｉ（ＯＨ）４层，如图１所示。 图１ｓｉ０２水合反应 ＦｉｇｌＨｙｄｒａｔｅ舱∽ｔｉｏｎｏｆＳｉ０２ 正是这种Ｓｉｂ２的表面水合作用降低了Ｓｉ０２的硬度、 机械强度和化学耐久性。在ｃＭＰ过程中，二氧化硅层 表面会由于摩擦产生热量，一方面提供了ｓ卜Ｏ键断裂 所需的能量；另一方面也降低了氧化硅的硬度。这层含水的软表层Ｓｉ０２被磨料中的颗粒机械地去掉。Ｓｉ０２介质层表面Ｓｉ０２和水之间发生双聚合反应，传输化学反应： Ｓｉ．Ｏ．Ｓｉ＋Ｈ ２０甘２ＳｉｏＨ （１） ?基金项目：天津市科技攻关重