薄膜晶体管的制备技术和过程资料要点.docVIP

薄膜晶体管的制备技术和过程（以ZnO 薄膜为例） 一、薄膜的常用制备方法介绍 ZnO 薄膜的制备主要有以下几种方法：射频磁控溅射、分子束外延（MBE）、金属有机化合物化学气相淀积（MOCVD）、脉冲激光沉积（PLD）、原子层淀积（ALD）以及溶胶-凝胶法（Sol-gel）等。下面先简单介绍后五种方法，着重介绍射频磁控溅射法。 1、分子束外延法（MBE） 分子束外延法（MBE）可以制备得到高质量的光电子器件外延薄膜，因此该技术迅速的发展起来，其工作原理就是系统在超高真空条件下，衬底经原子级清洁后，将具有一定热能的一种或多种分子（原子）束流直接喷射到晶体衬底上，在衬底表面发生化学反应，通过控制分子束流对衬底的扫描，在衬底上按原子或分子排列生长而形成薄膜。分子束外延法的生长机理非常复杂，涉及到入射分子、原子在衬底表面的吸附、分解、迁移、结合、脱附等复杂环节。 该技术的优点是：衬底温度低，膜层生长速率慢，分子束流强度易于控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而易于调整，利用分子束外延法生长的薄膜质量很高，当多层生长时具有陡峭的界面，且可利用在位监测技术精确的研究薄膜生长的过程等。但生长速度慢，大约 0.01~1 nm/s，当生长比较厚的薄膜需要较长周期，同时由于设备工作需要超高真空度，因此设备制造和维护成本都很昂贵。 2、金属有机化合物化学气相淀积法（MOCVD） 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。其原理是先将反应室中的衬底加热，然后通过载气将有机化合物及其它气源送至衬底的上方，随着基底温度的升高，混合气体和气固界面发生一系列的化学和物理变化，最终在衬底表面生成外延层。金属有机化合物化学气相沉积系统一般包括：气体传送系统、反应室、尾气处理和控制系统等。其中最核心的部分是反应室，它决定着所生长的外延层的厚度、异质结界面的梯度、组分均匀性以及本底杂质浓度等因素。MOCVD 生长机制十分复杂，涉及到多组份、多相反应物的输运以及反应物间的复杂的物理变化和化学反应。 MOCVD 的最大优点就是应用范围广，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，此外，MOCVD 法可对化合物的组分进行精确控制，生长薄膜的均匀性和电学特性重复性好；反应装置简单，生长基底温度范围较宽，可进行大规模生产。但是，MOCVD 设备较昂贵，需要精确控制的参数很多，其有机源在空气中容易自燃，生长时需要使用大量有毒气体等。 3、脉冲激光沉积（PLD） 脉冲激光沉积（PLD）是一种真空物理沉积的制备工艺，其工作原理就是在高真空室内，通过脉冲激光器产生的高功率脉冲激光聚焦于靶材使其蒸发，使蒸发物或直接沉积在衬底上，或与通入反应室的气源或气源的等离子体进行反应，后沉积在衬底上成膜。反应过程为：首先脉冲激光聚焦于靶材并相互作用；其次相互作用后的材料进行动态反应；再次经烧蚀蒸发的材料与其它气源反应；最后在衬底上形成和生长晶体薄膜。 脉冲激光沉积（PLD）法的优点在于：无污染且易于控制生长参数，能精确控制化学计量，靶膜成分接近一致，薄膜的平整度也较高，能实现多层膜结构的生长，沉积速率高且适合超薄薄膜的生长。 4、原子层淀积（ALD） 原子层淀积（ALD）是通过将气相前躯体脉冲交替地通入反应器，在沉积基体上化学吸附并发生化学反应而形成薄膜的一种方法。 原子层淀积法对基底温度和反应物通量的变化不太敏感，可以充分利用表面饱和反应，淀积的薄膜的厚度易于控制、稳定性能高、纯度高、密度高、平整且具有高度的保型性。与传统薄膜技术相比，原子层淀积在膜层均匀性、保形性、阶梯覆盖率以及膜厚度控制等方面都有明显优势。 5、溶胶-凝胶法（sol-gel） 溶胶-凝胶法（sol-gel）主要包括胶体（colloid）、溶胶（Sol）以及凝胶（Gel）等三种成分。溶胶－凝胶法的作前驱体是含高化学活性组分的化合物，在液态下将这些原料进行均匀混合、水解、缩合反应，形成稳定的透明溶胶体，然后将溶胶与陈化胶粒进行缓慢聚合，最终形成立体网络结构的凝胶，之后将凝胶干燥、烧结固化制备出分子或纳米结构的材料。 溶胶-凝胶法具有化学反应容易进行，合成温度较低，反应物之间混合均匀且掺杂均匀（在分子水平上）等优点。但 sol-gel 法也存在一些问题，如溶胶-凝胶过程较缓慢（几天到几周不等），由于存在大量微孔，在干燥过程中会产生收缩等。 6、射频磁控溅射法（RFMS） 1852 年，Grove 首次发现了溅射的现象，该现象是他在研究辉光放电时发现的。所谓溅射就是在某一基底温度下，固体或液体表面受到高能粒子(常为离子)轰击，则固体或液体表面的原子有可能获得足够的能量而逸出。溅射现象类似水滴落在平静的水面所引起的水花溅射现象。逸出的粒子大多呈原子状态，称为溅射原子。轰击靶材