stosi半共格界面失配位错和位错穿越alpd共格界面行为的相场位错模型-phase field dislocation model of misfit dislocations at stosi semi-coherent interface and behaviors of dislocations crossing alpd coherent interface.docxVIP

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2018-06-09 发布于上海
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stosi半共格界面失配位错和位错穿越alpd共格界面行为的相场位错模型-phase field dislocation model of misfit dislocations at stosi semi-coherent interface and behaviors of dislocations crossing alpd coherent interface.docx

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stosi半共格界面失配位错和位错穿越alpd共格界面行为的相场位错模型-phase field dislocation model of misfit dislocations at stosi semi-coherent interface and behaviors of dislocations crossing alpd coherent interface

STO/Si 半共格界面失配位错和位错穿越 Al/Pd 共格界面行为的相场位错模型摘要本文建立了基于相场微弹性理论和派纳模型的相场位错模型，研究了 STO/Si 半共格界面上的失配位错网络和位错穿越 Al/Pd 共格界面的行为。第一，在弹性各向异性且结构非均匀的连续介质的相场微弹性理论的基础上，相场位错模型研究了低能的 STO/Si 界面失配位错的柏氏矢量类型，得到了二维模型的位错间距和 STO 膜厚的关系，并推导了考虑了系统内均匀弹性能、位错弹性能和晶格能的理论公式，两者具有一致性，发现随着 STO 膜厚的增加，位错间距逐渐降低并趋近于理论错配间距。基于初步拟合的γ-表面，本文建立了三维模型，模拟了界面失配位错网络的形貌。因为互相垂直的位错线交叉引起位错节点处的能量降低，使三维模型的位错间距比二维模型间距小。第二，模型还计算了位错穿越纳米多层膜共格界面的临界应力和界面弹性模量梯度的关系，发现临界应力随着弹性模量梯度增加而增加。模型引入了轻触弹性带算法，实现了对纳米多层膜中的全位错分解、分位错依次穿越界面的全过程的最低能量路径和热激活能垒的计算，这有助于通过位错机制解释纳米多层膜的超硬化机理。模型改进了轻触弹性带算法，在不影响迭代精度的同时提高了迭代效率，使迭代步骤数减少到原来的二到五分之一。第三，本文实现了相场位错模型的算法改进。一方面，将相场位错模型的计算单元非均匀化，并修正了弹性应变场的迭代公式，在不影响计算结果准确性的情况下大大减小了计算规模，使计算时间减少到原来的十到四十分之一。另一方面，基于相场模型计算粒度均匀特I点，对程序进行并行化改写，并在多核 CPU 平台和 GPU 加速平台实现，在 CPU 平台的加速比达到理论值的 80%，通过 GPU 加速卡获得了 10 到 20 倍的加速比。使计算规模可以增加数十倍，同时大大提升了相场模型的计算效率，使相场位错模型可以精细地计算大规模的三维位错网络。关键词：相场位错模型，失配位错网络，位错穿越界面，并行计算IIPHASE-FIELD DISLOCATION MODEL OF MISFIT DISLOCATIONS IN STO/Si SEMICOHERENT INTERFACE AND DISLOCATION TRANSMITTING ACROSS AL/PD COHERENT INTERFACEABSTRACTPhase-field Dislocation Model (PFDM) based on Phase-field Micro--elasticity Theory and Peierls-Nabarro Model is established. The Model is used for the research of misfit dislocations in STO/Si semi coherent interface and the behavior of dislocation transmitting across Al/Pd coherent interface.Firstly, on this basis that the elastic continuum theory for elastic anisotropy and homogenous solid, PFDM studied the type of the burgers vector at the low-energy state of the misfit dislocation networks in the STO/Si interface. The influence on the distance between dislocations by the STO layer thickness is simulated and the theoretical formula that describes the distance considering the homogeneous elastic energy in the layer, the dislocation elastic energy and the crystal energy is found. The formula agrees simulation results, which find that with the increase of the STO layer thickness, the distances decrease. 3D model is established basedon preliminary fitted γ-surface