光电子电路设计第一篇2011(下).ppt

* 接地：通过导体连接，将应接地的各点保持为0电位。 功能分类 电力系统：保护接地 电子电路：信噪接地 电子电路中“地”的分类 系统地（工作地，电源地）：信号回路的电位基准点（一般是直流电源0V电位） 模拟地：连接模拟元器件接地引出端形成的地线 数字地：连接数字元器件接地引出端形成的地线 功率地：连接功率元器件接地引出端形成的地线 系统基准地：电路及部件内部各部分电路的信号返回线与电位基准点之间建立良好的连接，为系统各部分提供公共的参考电平 电子电路接地方式 一点接地（星形接地） 要求每个电路只接地一次， 并且接在同一点（常常以大地 为参考） 由于只存在一个参考点， 没有地回路存在 * 串联接地 方式简单 串联地各接地点电位差随流入地端的电流和接地电阻的增加而增加， 因此布局时应把低电平电路放在离地电位较近的地方 受接地线间互感及分布电容耦合的影响，不适用于高频电路 并联接地 各点地电位只与本电路的地线阻抗及接地电流有关 不适用高频电路（<1MHz） 串并联接地 能解决一般低频电路的接地要求 适用于功率差别较大、噪声电平相差较大的电路 * 多点接地 设备内电路都以机壳为参考点，而各个设备的机壳又都以地为参考点 能够提供较低的接地阻抗，这是因为多点接地时，每条地线可以很短 并且多根导线并联能够降低接地导体的总电感 在高频电路（>10MHz）中必须使用多点接地，并且要求每根接地线的长度小于信号波长的1/20 多点混合接地 对于直流，电容是开路的，电路是单点接地，对于射频，电容是导通的，电路是多点接地 混合接地既包含了单点接地的特性，又包含了多点接地的特性 * 接地环流干扰的克服 地环流的成因 多点接地，各地参考电平间存在着电位差 地线回路感应的电磁干扰 地环流消除方法（破坏环路形成或削弱其影响） 采用隔离变压器 （不适用于低频交流和直流信号） 采用纵向扼流圈 （用于低频交流和直流信号） 采用光耦 （适用于数字电路和精度要求不高的模拟电路） * 采用差分放大器 （放大器需要就较高的输入阻抗、CMRR和抗共模电压能力） * 选择合理的接地点 （对高输入阻抗的单端放大器，可在信号源端加高阻接地，或在放大器输入0电位参考端加低阻接地） * 低噪声放大器设计举例 InSb探测器（中阻信号源） * ★ * 实际电路 ★ * 结型场效应晶体管 J 光敏管(光电管) U 阶跃恢复管 J 化合物材料 E 雪崩管 B 微波管 V 硅材料、NPN型 D 开关管 K 闸流管 T 硅材料、NPN型 C 低频大功率管 D 高频大功率管 A 锗材料、NPN型 B 低频小功率管 X 高频小功率管 G 锗材料、PnP型 A 三极管 3 字母A、B、C、D等表示同一型号器件的档次等 用数字表示同一类型产品的序号 含义 字母 含义 字母 含义 数字 第五部分：规格号 第四部分：序号 第三部分：类别 第二部分：三极管的材料和特性 第一部分：主称 [＋]国产三极管的型号命名方法 * HgCdTe探测器（低阻信号源） * ★ 实际电路 * PbS探测器 * 实际电路 ★ * 钽酸锂探测器（高阻信号源） 钽酸锂热释电探测器的直流阻抗高达数GΩ，前置放大器必须采用FET 由于MOSFET低频下的1/f噪声比JFET大，因此挑选FET时优先选择In低（G-S漏电流小）和En低的JFET 降低UDS以降低散弹噪声 栅极偏置电阻Rg的与RL一样，在阻值很大时热噪声会使等效输入噪声增加，因此其阻值选择要慎重 JFET的反向电阻RGD， RGS有负的温度系数，故Rg要比RGD， RGS小1～2个数量级 * 实际电路 ★ * 噪声测量 低噪声放大器的设计是否达到指标，需要通过测量来检验。 En 、In、 F、Δf等都可以直接或间接测量。 等效输入噪声Eni的测量方法包括正弦波法和噪声发生器法。 正弦波法 基本原理 等效输入噪声Eni是一个与信号源串联的、等于探测器和放大器噪声之和的噪声电压源。 基本过程 输出端测量总输出噪声 测量电压传递函数 求出等效输入噪声电压 ★ ★ * 系统组成 正弦波信号发生器 交流电压表 低阻抗衰减器 模拟源电阻 ★ ★ 被测器件或电路 低噪声前置放大器 模拟输出电阻 滤波器 均方根电压表 * 噪声发生法 原理 把放大器的未知噪声电平与噪声发生器的已知电平做比较。需要在输出端进行两次噪声测量 噪声发生器未接入时总输出噪声 噪声发生器接入时总输出噪声 等效输入噪声 不需要进行具体计算，称为功率倍增法。 * 谢谢大家 光电子电路设计 北京理工大学光电