半导体物理第五节01.ppt

5.1非平衡载流子的注入与复合 处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度，称为平衡载流子浓度，前面各章讨论的都是平衡载流子。 非简并半导体，处于热平衡时，电子浓度n0，空穴浓度p0 本征载流子浓度 ni只是温度的函数。在非简并情况下，无论掺杂多少，平衡载流子浓度 n0和p0必定满足式 (5-1)，因而它也是非简并半导体处于热平衡状态的判据式。 半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。 处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是 n0和p0，可以比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称为过剩载流子。 例如在一定温度下，当没有光照时，一块半导体中电子和空穴浓度分别为 n0和p0 ，假设是n型半导体，则 n0>>p0 ，其能带图如图5-1所示。 当用适当波长的光照射该半导体时，只要光子的能量大于该半导体的禁带宽度，那么光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子一空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子△n，价带比平衡时多出一部分空穴△p，它们被形象地表示在图5-1的方框中。 △n和△p就是非平衡载流子浓度。这时把非平衡电子称为非平衡多数载流子，而把非平衡空穴称为非平衡少数载流子。 对p型材料则相反。 其中，用光照使得半导体内部产生非平衡载流子的方法，称为非平衡载流子的光注人。 光注入时 在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多，对 n型材料， △n =△p << n0，满足这个条件的注入称为小注入。 例如1 .cm的n型硅中， n0 ≈5.5 x 1015cm-3, p0 ≈ 3.1 x 104cm-3，若注入非平衡载流子 △n << n0,是小注入，但是△p几乎是p0的106倍。即△p>> p0 。这个例子说明，即使在小注人的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大得多，它的影响就显得十分重要了，而相对来说非平衡多数载流子的影响可以忽略。 所以实际上往往是非平衡少数载流子起着重要作用，通常说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。 光注入使得载流子浓度增大，必然导致半导体电导率增大，即引起附加电导率为 这个附加电导率可以用图5-2所示的装置观察。图中电阻 R比半导体的电阻r大得多，因此不论光照与否，通过半导体的电流 I几乎是恒定的。半导体上的电压降 V = Ir。设平衡时半导体电导率为 ，光照引起附加电导率 ，小注入时 ，因而电阻率改变 所以电阻的改变 要破坏半导体的平衡态，对它施加的外部作用可以是光的，还可以是电的或其他能量传递的方式。 相应地，除了光照，还可以用其他方法产生非平衡载流子，最常用的是用电的方法，称为非平衡载流子的电注入。如pn结正向工作时，就是常遇到的电注入。 当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后，半导体中将发生什么变化呢? 还是用光注入的例子来说明。如图5-2所示的实验中，在小注入的情况下，△V的变化反映了△p的变化。 实验发现，光照停止以后， △V很快趋于零，大约只要毫秒到微秒数量级的时间。 这说明，注入的非平衡载流子并不能一直存在下去，光照停止后，它们要逐渐消失，也就是原来激发到导带的电子又回到价带，电子和空穴又成对地消失了。 最后，载流子浓度恢复到平衡时的值，半导体又回到平衡态。 由此得出结论，产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失。 这一过程称为非平衡载流子的复合。 实际上，热平衡并不是一种绝对静止的状态。就半导体中的载流子而言，任何时候电子和空穴总是不断地产生和复合。 在热平衡状态，产生和复合处于相对的平衡，每秒钟产生的电子和空穴数目与复合掉的数目相等，从而保持载流子浓度稳定不变。 当用光照射半导体时，打破了产生与复合的相对平衡，产生超过了复合，在半导体中产生了非平衡载流子，半导体处于非平衡态。 光照停止时，半导体中仍然存在非平衡载流子。由于电子和空穴的数目比热平衡时增多了，它们在热运动中相遇而复合的机会也将增大。这时复合超过了产生而造成一定的净复合，非平衡载流子逐渐消失，最后恢复到平衡值，半导体又回到了热平衡状态。 5.2 非平衡载流子的寿命 上节已经说明，在图5-2的实验中，小注入时， △V的变化就反映了△p的变化。因此，可以通过这个实验，观察光照停止后，非平衡载流子浓度△p随时间变化的规律。 实验表明，光照停止后， △p随时间按指数规律减少。这说明非平衡载流子并不是立刻全部消失，而是有一个过程，即它们在导带和价带中有一定的生存时间