第五章薄淀积工艺(上).pptVIP

图13.1 简单的热CVD反应器 再回到图13.1的系统， ■ 假设系统温度均匀，气流速 度在硅片表面降低到零，且 腔体高度足够大，使硅片上 方气流具有均匀速度。 ■ 边界层（滞流层）近似： 在边界层中气流速度为零，在边界层外气流速度为v∞ 倾斜角度需根据特定工艺进行优化 1）边界层的厚度与沿气流方向的位置有关，即 为维持淀积速率的均匀，必 须保证边界层的厚度均匀。 ■ 一般采用楔形基座， 淀积表面朝气流方向倾斜。 结论 2）气相输运的扩散系数与温度的关系式有： 显然，与体扩散系数相比，De 对温度的依赖性要弱得多。 总之，CVD过程受限于 1）化学反应；或2）气相输运 对决定CVD薄膜淀积速率～温度关系是至关重要的。 3）化学反应速率系数与温度的关系式有： 图13.8 CVD 淀积速率与温度的函数关系 6、CVD 淀积速率与温度的关系 实验结果显示： (1) 低温度下，淀积速率随温度倒数 减小而增加 化学反应速率限制区 淀积速率是温度的敏感函数 (2) 高温度下，淀积速率随温度倒数 减小的增加幅度趋缓 质量输运速率限制区 淀积速率是气体浓度的敏感函数， 需控制气流及腔室设计 教材第256～257页：第1、2题 教材第352页：第1题 课后作业 第五章 薄膜淀积工艺 （上） 薄膜淀积（Thin Film Deposition）工艺 ■ ? 概述 ■ 真空技术与等离子体简介 (第10章) ■ 化学气相淀积工艺 (第13章) ■ 物理气相淀积工艺 (第12章) ■ 小结 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第10、12、13章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 一、概述 薄膜淀积工艺是IC制造中的重要组成部分：在硅表 面以上的器件结构层绝大部分是由淀积工艺形成的。 1、薄膜淀积工艺的应用 2、薄膜淀积工艺一般可分为两类： (1) 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）：利用化 学反应生成所需薄膜材料，常用于各种介质材料和半导 体材料的淀积，如二氧化硅、多晶硅、氮化硅等。 (2) 物理气相淀积（Physical Vapor Deposition）：利用物理 机制制备所需薄膜材料，常用于金属薄膜的制备淀积， 如铝、钨、钛等。 (3) 其他的淀积技术还包括：旋转涂布法、电解电镀法等 SOG（Spin on Glass） 金属Cu的淀积 3、评价薄膜淀积工艺的主要指标： (1) 薄膜质量：组分、污染、缺陷密度、机械性能和电学性能 (2) 薄膜厚度及其均匀性：表面形貌和台阶覆盖能力 (3) 薄膜的间隙填充（ Gap Filling）能力 深宽比（Aspect Ratio）： 1、气体分子的质量输运机制：低压CVD 2、等离子体产生机制：溅射、等离子体增强CVD、反应 离子刻蚀等 3、无污染的加工环境：蒸发、分子束外延 4、气体分子的长自由程输运：离子注入 二、真空技术和等离子体简介 （一） 微电子制造涉及的真空技术 1、标准环境条件： 温度为20℃，相对湿度为65%，大气压强 为：101325 Pa = 1013.25 mbar = 760 Torr 2、压强单位： ■ 帕斯卡（Pa）：国际单位制压强单位，1Pa = 1 N/m2 ■ 标准大气压（atm）：压强单位，1 atm = 101325 Pa ■ 乇（Torr）：压强单位，1 Torr = 1/760 atm，1 Torr = 1 mmHg ■ 毫巴（mbar）：压强单位，1 mbar = 102 Pa ■ 其他常用压强单位还有：PSI（磅/平方英寸） （二）真空基础知识 3、气体动力学理论推导的几个公式： 注意：这些公式只在λ L时适用（L是腔体的特征长度） 气体分子的平均速率： 式中m是气体分子质量 气体分子的平均自由程： 式中d 为分子直径；n 为单位体积内的气体分子数 根据理想气体定律， 代入上式，得到 式中P 为腔体压力 （二）真空基础知识 4、真空区域划分： 压强高，真空度低； 压强低，真空度高。 ■ IC工艺设备一般工作在中低真空段，但为了获得无污染的 洁净腔室，一般要求先抽到高真空段后再通入工艺气体。 （二）真空基础知识 真空度—指低于大气压的气体稀薄程度 (1) 真空系统的组成：气源（待抽容器）、系统构件（管道阀门等） 及抽气装置（真空泵）。 (2) 气体流动：当真空管道两端存在有压力差时，气体会从高压处 向低压处扩散