射频调制第五篇低噪放4-2晶体管模型.ppt

* 5.2 晶体管高频等效电路 射频集成电路主要工艺 双极（Bipolar） 砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz 超高速微电子学和光电子学 CMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容 3GHz以上 工艺技术 截止频率 (GHZ) Bipolar 25 – 50 BiCMOS 10 – 20 SiGe HBT 40 - 80 共射放大器原理图 基极偏置VBEQ 决定基极偏置电流 IBQ 集电极电源 VCC 负载电阻 RL 共同决定工作点Q 输入信号为 , 当 ( ) 时 晶体管可用其等效电路代替 5.2.1 双极型晶体管共射小信号等效电路 输出电流公式 混合 型等效电路 ①理解电路中各元件的物理意义 从两个层次上加强对等效电路的理解 ②理解晶体管作为放大器的本质 注意两点 ①电路中的所有参数均与工作点Q有关 ②该电路是交流小信号等效电路 晶体管作为放大器的本质 一个电压控制的电流源 ——正向传输 放大器的输入阻抗，电阻和电容 、 放大器输出电阻 （很大） c e 极限工作频率 －－ 由等效电路中的电容引起 反向传输器件 引起放大器不稳定 5.2.2 场效应管小信号模型 场效应管工作的两个区——以 大小划分 饱和区（恒流区） 可变电阻区 可变电阻区特性（ 很小） 理解： ① 和 成线性关系 电导值为 ② 此电阻受栅源电压 的控制（可变电阻） 恒流区——场效应管等效为一个理想的电压控制电流源 *