射频bicmos技术ppt课件.ppt

SiGe IC 工艺技术实现宽带和低噪声 SiGe 工艺采用锗对硅进行掺杂，利用现有的CMOS生产设备或双极工艺设备制造芯片。 SiGe 技术能够获得比双极器件高得多的速度，用0.5μm工艺很容易达到几百兆的带宽；在相似的功率水平下比双极工艺提供更低的噪声特性。 SiGe 器件和 IC 主要应用于低噪声预放大、采集保持、高速A/D 转换等场合。 SiGe技术的主要应用领域 SiGe技术主要应用于通讯领域射频前端 （1GHz～30GHz） ※ 手机（GSM, CDMA, 3G）： ※ 无绳电话 （DECT）; ※ 蓝牙技术 Blue-tooth/Zigbee（IEEE802.15.1） ※ 无线局域网 （IEEE802.11 b/g/a） 无线保真技术(Wireless Fidelity) ※ 高速光电通讯（SONET/SDH） ※ 广播电视网、Internet网 电视信号三种传输途径：卫星传输，有线传输，地面无线传输。 关 于 无 线 局 域 网 相关标准 广域网(WWAN) GPRS/3G (WCDMA/CDMA2000) 无线通讯 局域网（WLAN） IEEE802.11b/g/a 系 统 无线个人网(WPAN) 无线局域网 几种技术标准性能比较 IEEE 802.11b 802.11a 802.11g 标准描述 2.4GHz频带无线LAN物理层的基本规格 2.4GHz频带无线LAN物理层的高速规格 5.0GHz频带无线LAN物理层的基本规格 最高数据传输率 11Mbps 54Mbps 54Mbps 调制方式 DSSS, CCK OFDM OFDM 使用频带 2.4GHz ISM 2.4GHz ISM U-NII 2.4GHz ISM 信道带宽 83.5MHz 200MHz 83.5MHz 非重叠可使用信道数 3 8 + 4 3 兼容性 不兼容 与802.11b兼容 SiGe RF IC 的 主要产品 SiGe RF IC 主要产品有： ※ 功率放大器（PA）： 20.5% 手机基站 ※ 锁相环 （PLL）; 5.6% ※ 收发器电路（Transceiver） 73.8% ※ 变换器 ※ 均衡器 ※ 放大器：跨阻放大器、限幅放大器 高速光纤通讯网络系统中的—— 射频芯片组（介绍） 全套光纤传输收发器芯片组 ■ 多路复用器芯片（MUX） ■ 多路解调器芯片（DeMUX） ■ 互阻抗放大器芯片（TIA） ■ 激光驱动器芯片（Laser Driver） ■ 调制驱动器芯片（Modulator Driver） 10Gbps 互阻抗放大器版图 □0.18μm 锗化硅（GiGe）BiCMOS技术特征 ◆ 高速双极型晶体管 fT 频率高达 60GHz； ◆ 击穿电压 BVCE0 大于 3.3V; ◆ CMOS 工艺为 0.18 μm ; ◆ 有 七层金属布线 （包括铝线和铜线）； ◆ 掩膜仅15层，掩膜费用低，与硅0.13 μm相当； ◆ 射频包括了MIN电容、MOS电容、电感、传输线及变容二极管。◆ 采用 SiGe 的原因 SiGe 器件的特点 Si和Ge都是四价元素，具有相同的金刚石结构，但原子量和原子半径相差很大，若形成SiGe 单晶材料，晶体结构应力很大，缺陷很多，不能使用。一般是在Si片表面外延一层 Si0.7Ge0.3的外延层。 采用SiGe的原因 SiGe 器件的特点 SiGe层的电子迁移率大约是纯Si材料的2倍，因此若晶体管基区采用这种高迁移率的SiGe 合金，将明显降低噪声、偏置电流和使用功率，大大提高工作频率，实现2GHz以上的射频功能集成。 Si Ge 电子迁移率 1500cm2/Vsec 3900cm2/Vsec 空穴迁移率 450cm2/Vsec 1900cm2/Vsec 0.3 微米工艺 Si双极管 SiGe双极管 截止频率 30GHz 50GHz 最大振荡频率 50GHz 70GHz 采用SiGe的原因 SiGe 器件的特点 SiGe还具有良好的热传导特性和低的涉漏电流，能够在很宽的工作温度范围内保持稳定的性能。 SiGe IC 的工艺兼容性好，只要在标准CMOS工艺增加4道工序、TTL工艺增加5道工序、BiCMOS工艺增加一道工序，就能形成SiGe IC 兼容工艺线。欧洲 ST 公司在2000年建立了第一条SiGe 生产线。 HBT — SiGe 基极的双极晶体管结构 HBT —