2008第6章_半导体存储器.pptVIP

第6章 半导体存储器 概述 主要内容： 半导体存储器分类 存储器的主要性能指标 主存储器的基本结构 存储器分类 1. 辅存（External Memory ，也称外存） 基本功能：存放暂时不被执行的程序和数据 使用特点：CPU不能直接访问 需配置专门的驱动设备进行读取 顺序存取存储器 SAM 数据信息以文件形式存放 数据信息按存放的先后顺序存取 容量大，存取慢、价格低（如磁带等） 直接存取存储器 DAM 按存储器中的存储区域（块）存取信息 存储区域内按顺序存储 容量大，存取快（如磁盘等） 存储器分类 2. 主存（Main Memory ，也称内存） 基本功能和特点：存放正在执行或将要执行的程序和数据 与CPU直接交换数据信息 均采用半导体存储器 RAM（读写存储器或随机存储器） 静态随机存取存储器 SRAM 动态随机存取存储器 DRAM ROM（只读存储器） 掩膜编程 ROM 可编程存储器 PROM 可擦除可编程存储器EPROM 电擦除可编程存储器EEPROM 存储器的主要性能指标 存储器容量 字表示（Word）：64K字=64K×16位 字节表示（Byte）：64KB=64K×8位 存储容量单位：1KB=210B、1MB=220B、1GB=230B、1TB=240B 存储速度 存储时间：从接到读写信号到完成读写操作所用的时间 存储周期：CPU连续两次读写存储器的最小时间间隔 存取时间多取决于材料和工艺的不同；一般在几个ns～数百ns 存储器容量计算例 例6-1 某存储器芯片的地址线为16位，存储字长为8位，则其存储容量为多少？ 一般的，若某存储器芯片有M位地址总线、N位数据总线，表示存储单元的数为2M个，每个存储单元可存储N位二进制信息；则存储容量表示为2M×N位 该存储器芯片中M为16位，N为8位，则其存储容量为：64K×8位 存储器的主要性能指标 可靠性 存储器的可靠性用平均故障间隔时间（MTBF，Mean Time Between Failures）来衡量；MTBF越长，可靠性越高 性能/价格比 性能主要包括上述三项指标—存储容量、存储速度和可靠性 对不同用途的存储器有不同的要求 有的存储器要求存储容量大，选择芯片时就以存储容量为主 有的存储器如高速缓冲器，则要求以存储速度为主 主存储器的基本结构 存储体 由存储单元组成 每个存储单元存放一个字节的数据 存储单元的编号称为地址 由地址总线决定选择读写操作的目的存储单元 存储单元数N=2n个（n为地址总线的位数） 地址译码器 将n位地址码译为N个存储单元中的一个具体编号 三态数据缓冲器 暂时(缓冲)存放写入或读出的数据 时序控制电路 按照CPU的读写命令和时序,发出读/写控制信号 主存储器的基本结构 主存储器芯片的主要引脚 静态RAM-SRAM 存储电路由用4~6个MOS管组成，集成度低、结构复杂 由电路的结构保证存储的信息只要不断电，内容不会丢失；不需要刷新 存取速度快，但价格较高 一般用作高速缓冲存储器 SRAM基本存储电路 常用 SRAM 芯片型号 6116芯片 6116是一种2048×8位的高速静态CMOS随机存取存储器，其基本特征是： （1）高速度 存取时间为100?ns/120?ns/150?ns/200?ns(分别以6116-10、6116-12、6116-15、6116-20 为标志) （2）低功耗 运行时为150?mW，空载时为100?mW （3）管脚引出与标准的2K×8b的芯片（例如2716芯片）兼容 （5）完全静态——无需时钟脉冲与定时选通脉冲 6116 芯片结构框图及引脚图 数据线：双向、三态 ，8条 地址线：11条 控制线：CS，OE，WE，24引脚 存储容量为 2KB SRAM上的引脚信号 数据线：由RAM的位数决定； 地址线：由RAM的单元数决定； 控制线： CE：片选，有效时，芯片才工作 WE：读写控制，为0时写，为1时读 OE：输出控制，为0时，允许输出 3. 6116的工作过程 读操作 ★片选CS=0有效,表示被选中 ★由CPU送来的地址信号经地址输入线A10~A0送入地址锁存器 ★该地址被先后送入行(7位)、列(4位)地址译码器 ★根据译码值，选中一个存储单元（8位）的数据 ★待控制信号OE=0时，被选中的数据被送至I/O线上 3. 6116的工作过程 写操作 ★写入时，片选信号CS=0，表示选中该芯片 ★当WE=0,表示是写操作 ★经译码器译码，确定写入单元（8位）的地址 ★将此时I/O线上的数据送入被选中的存储单元 6116工作方式真值表 动态RAM-DRAM 动态RAM：由一个MOS管组成基本存储单元，依靠MOS管的