第2章 电磁干扰分析090216 ppt.pptVIP

或 【例】两个设备连线长l =10m，离地高度h = 10cm，对应的电场 强度E0=10V/m。设f 1=1MHz ， f 2=10MHz ，分别求对应 的Ui 和CMC。 （2） 【解】（1） 第64页/共68页 计算公式同共模干扰，将h 替换为d 即可。 2. 辐射异模干扰 用磁场来计算 共模耦合系数(以1V/T为0dB)： 异模 1# 2# d l 共模 1# 2# l h 第65页/共68页 辐射屏蔽：在干扰源与干扰对象之间插入金属屏蔽物，阻 挡干扰的传播。 极化：若干扰为水平极化，则敏感设备垂直放置，则可以 有效地减少干扰。 距离隔离：当r 大，场能量会快速减小。 方向隔离：利用场量与角度的关系，使干扰源方向性最小 点对准被干扰对象，则可以有效地减少干扰。 吸波涂层：吸收电磁波，则可以有效地减少干扰。 2.6.3 抑制辐射干扰的措施 习题：1.1, 1.2, 1.3, 1.7, 1.10 习题：2.1，2.5，3.1，3.6，3.7，3.8，3.9，4.1，4.2。 第66页/共68页 敏感设备：受电磁骚扰影响的电路、设备或系统 敏感度：敏感设备对电磁骚扰所呈现的不希望有的响应程度 模拟电路的敏感度 2.7 敏感设备 相参信号： 非相参信号： 第67页/共68页 敏感程度分类 ——极不敏感 ——较不敏感 ——稍敏感 ——中等敏感 ——敏感 ——非常敏感 ——极敏感 数字电路的敏感度 第68页/共68页 平衡措施 平衡条件： 1 3 4 2 实例： U1 Z1 Z2 ~ 屏蔽措施 C13 2 C23 C24 C14 Z2 1 4 3 原理： Z1 ~ 第32页/共68页 C1S ：导体1 与屏蔽体之间的电容 C12 ：导体1 与导体2（未屏蔽部分）之间的电容 C2G ：导体2（未屏蔽部分）的对地电容 C2S ：导体2与屏蔽体之间的电容 CSG ：屏蔽体之间的对地电容 2 S R C2G UN CSG C2S US C1G C12 U1 ~ C1S 1 U1 R C2G UN ~ CSG C2S C12 C1S 1 2 US C1G S 屏蔽对电容性耦合的影响 第33页/共68页 结论：屏蔽体必须接地。 故 若屏蔽体接地，则 则 —— 屏蔽体为等位体。 U1 US ~ C1G C1S 1 CSG S 比较 U1 R UN ~ CSG C1S 1 US C1G C2S 2 S 导体2完全屏蔽 第34页/共68页 考虑屏蔽体已接地，即CSG = 0，则 结论：导体2上的干扰电压取决 于外露部分的长度，越 短越好！ 则 U1 R UN ~ C2S C12 1 C1G 2 C2G U1 R C2G UN ~ C2S C12 C1S 1 2 US C1G S 导体2部分屏蔽 第35页/共68页 2.5 电感性耦合 低电压、大电流干扰源产生的磁耦合干扰 1 2 Z21 Z22 Z11 U1 L2 UN2 ~ L1 I1 M12 UN1 电感性耦合：当导线上的电流发生变化时，周围的磁场将发生变化。此时，若有另外的导线在这个变化的磁场中，则导线上会产生感应电动势。于是一根导线上的信号就耦合进了另一根导线。这就是电感性耦合，又称磁耦合。 第36页/共68页 忽略I2 对I1 的影响，则 1 2 Z21 Z22 Z11 U1 L2 UN2 ~ L1 I1 M12 UN1 I1 L1 ~ U1 UN2 Z21 Z22 L2 M12 Z11 1 2 I2 UN1 电感性耦合的干扰电压 第37页/共68页 【例】两根导线，长度l1=l2=1m，半径r =0.5mm，相距d =30mm， 距接地金属平面高度h1=h2=10mm。干扰源负载Z11 =100?， 受干扰回路负载Z21 =Z22=100?，设干扰频率f =1MHz，干扰 源电压U1=10V，求负载受到的干扰电压为多少？ 【解】 耦合系数： 第38页/共68页 干扰源系统的电气参数应使电流变化幅度和变化率尽可能 的小； 被干扰系统应尽可能的设计成低阻及高信噪比系统； 系统的结构应尽可能紧凑，且彼此空间上相互隔离。 两个系统的耦合部分的布置应使互感尽量小； 例如：增大间距、减少导线长度、避免平行走线等。 采用平衡措施消除电感性干扰； 对干扰源和被干扰对象进行磁屏蔽。 电感性耦合的抑制 针对干扰源和被干扰对象 针对减小耦合