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AZO混層結構之透明導電薄膜的製備與特性分析 指導老師：林克默 博士 報告學生：郭俊廷 報告日期：2011/6/22 南台科技大學 機械工程研究所 * 大綱 前言 研究目的與動機 實驗方法與分析 薄膜厚度量測分析 微結構分析 電性分析 光學穿透率量測分析 結論 * 透明導電薄膜介紹 %T~80%(in the visible) ρ 10-3 Ωcm TCO (Transparent Conducting Oxide) 首見文獻報導： 1907 - Badeker 發現金屬鉻(Cd)薄膜氧化後，具透明又導電特性。 首次應用： 第二次世界大戰 – 轟炸機的除霧玻璃 * 透明導電薄膜材料 * n-type透明導電材料 能隙(eV) 摻雜物 離子半徑pm 電負度* 氧化銦(In2O3) 3.5-4.2 錫(Sn) 71 1.96 氧化錫(SnO2) 3.8-4.0 銻(Sb) 60 2.05 氟(F) 133 3.98 氧化鋅(ZnO) 3.3(室溫) 硼(B) 27 2.04 鋁(Al) 54 1.61 鎵(Ga) 62 1.81 銦(In) 80 1.78 - - 鋅(Zn) 74 1.65 *參考鮑林之相對電負度 氧化鋅(ZnO)特性與優勢 為n型半導體材料，具有一寬能隙約3.3eV，屬纖鋅礦(Wurzite)結構。 資源豐富、價格便宜和對人體環境傷害低。 隨著摻雜物的不同，可成為n或p-type之半導體。 作為TCO材料，近年來被認為最可能替代ITO的材料。 * 透明導電薄膜沉積方式 * 液體成膜法 氣體成膜法 物理氣相沉積 化學氣相沉積 原料 液態 固體→氣態 液體→氣態 沉積氛圍 常壓 真空 真空 沉積溫度 高 低 低 設備成本 低 高 高 薄膜品質 可 佳 佳 鍍膜方法 溶膠凝膠法 浸漬塗佈 濺鍍(DC or RF) 脈衝雷射 真空蒸鍍 電弧放電蒸鍍 金屬有機化學氣相沉積 低壓化學氣相沉積 旋轉塗佈 噴霧塗佈 研究目的與動機 本實驗室過去曾探討摻雜鋁氧化鋅薄膜(AZO)，發現摻雜1at.%時，能獲得最低之電阻率，期望能更進一步改善薄膜之導電性。 s=Nem (導電率=載子濃度×電子電量×載子遷移率) 藉由導電性較好的ITO powder散佈在AZO薄膜中，降低薄膜電阻。 * 實驗流程 AZO+ITO powder製備 * 調配前驅液 薄膜製備 樣品分析 覆膜參數 示意圖 * 覆膜比例1:1 覆膜比例2:1 覆膜比例3:1 ITO powder / ZnAc = 0 ~ 5.0 wt.% 儀器分析 * 薄膜厚度量測 UV-VIS-NIR (V-670, 南台) SE (J.A.Woollam , 南台) FE-SEM(JOEL JSM 6701F, 南台) 微結構 X-ray (Rigaku D/MAX2500, 成大貴儀) 電性量測 Hall measurement (Ecopia HMS-3000, 南台) 結果與討論 * 膜厚分析 * AZO+ITO powder 0.1wt.% , 15 layers film SE : 421.4 nm AZO+ITO powder filmsSE/SEM 膜厚量測比較 * Unit: nm SEM SE SE/SEM 0.1 wt.% 451 421 -6.65% 0.2 wt.% 430 376 -12.56% 0.5 wt.% 431 413 -4.18% 1.0 wt.% 460 394 -14.35% 2.0 wt.% 444 412 -7.10% 5.0 wt.% 442 450 1.70% AZO+ITO powder filmsUV/SEM 膜厚量測比較 * AZO+ITO powder (0.2~5wt.%) , 15 layers film, SEM ×300 AZO+ITO powder (5wt.%) UV/SEM 0.52~17.08% Unit: nm SEM UV UV/SEM 0.1 wt.% 451 453 0.52% 0.2 wt.% 430 458 6.55% 0.5 wt.% 431 417 -3.36% 1.0 wt.% 460 418 -9.06% 2.0 wt.% 444 421 -5.18% 5.0 wt.% 442 367 -17.08% AZO+ITO powder films 微結構分析(XRD) * AZO+ITO powder films JCPDS 36-1451 Zinc Oxide XRD *JCPDS 89-4597 Indium Tin Oxide AZO+ITO powder films電性分析-載子濃度與遷移率 * AZO+ITO powder fil