第7章薄膜材料及其应用.pptVIP

* 硬磁盘： 衬底：Al-Mg合金（要求：极低的表面粗糙度） 1、为了提高衬底的硬度，在衬底上首先要采用化学镀的方法沉积上一层具有适当硬度的NiP合金层。这一镀层其结构是非晶态的，不具有铁磁性。（硬质底层） 2、对衬底进行进一步的抛光后，采用PVD方法在其上沉积上具有适当磁各向异性、厚度为几百纳米的磁性薄膜。为了使薄膜具备所需的平面内各向异性，可以采取倾斜蒸发沉积的方法。（磁性层） 3、最后，为了保护磁性薄膜免受磁头不断冲击可能造成的损害，还需要在薄膜表面沉积一层硬度较高的非晶碳（类金刚石）组成的硬质薄膜。（保护层） 磁记录介质的制造需要解决各种各样的材料问题（如衬底材料，衬底涂层以及表面保护涂层等。） * 软磁盘或磁带： 衬底：聚酯（PET）材料 采用连续蒸发倾斜沉积的方法制造。这时，由电子束蒸发出来的CoNi合金蒸气将从特定的角度入射并沉积于衬底之上。合适的衬底运动方向将导致在衬底上形成一定倾斜度的柱状晶核心，从而改善沉积后薄膜的矫顽力和磁化回线的方形度。 * 四、光存储介质概况 1、只读式光盘 以CD为代表的只读型光盘的工作原理很简单，它是靠探测激光在凹凸不平的介质表面反射回来的光的强度的变化来读出信息的。 制作只读光盘的工艺路线如图所示。将光刻好的正像盘作为衬底，在其上喷镀上金属就制成了负像盘，然后，以后者作为模具注入聚合物溶液并使之在紫外线照射下聚合固化，最后喷镀上一层金属反射层，就制成了录有信息的光盘。 * 2、一次写入式光盘 这类光盘可以依用户的需要一次写入所要记录的信息，并可以反复读取，但不能对信息进行改写。写入信息的方式可以有各种方式，如图所示，有烧蚀型、发泡型、熔融型、合金化型、相变型。 3、可擦重写型光盘 这种光盘上的信息可以被重新改写，但是改写的过程需要两次操作才能完成，即先要将原来的信息擦除一次，然后再将新的信息用激光写入。 4、直接重写型光盘 这类光盘属于不仅可以改写信息，而且可将信息的擦除和写入操作同时完成的光盘。 * 五、磁光存储（Magneto-Optical Recording,MO） 磁光存储技术所依赖的是磁性材料的两个性质，即： （1）当温度变化时，材料磁化状态产生相应变化的热磁效应； （2）材料磁化状态使得从其表面反射回去的偏振光的偏振方向发生变化的克尔磁光效应。 写入过程：在磁光盘中，磁化矢量的方向均垂直于薄膜平面，或沿法线方向向上，或与其相反向下。如图所示的写入过程中，激光束将磁性介质局部加热至铁磁性消失的温度。在温度下降，铁磁性重新出现的同时，写入磁头施加一定的磁场，它使这一区域的磁化矢量按要记录的信息而排列。 * 读出过程：在偏振光垂直入射的情况下，磁化方向不同的区域将会使反射光的偏振方向发生微小但却完全不同的变化，这就是克尔磁光效应。因而，在如图所示的读出过程中，反射回来的激光束的偏振方向将与要读出的信息相对应，即依靠探测激光偏振面的变化就可以实现信息的读出。 对磁光存储薄膜的要求除了对一般磁性存储介质的要求之外，还要求具有以下两点： 合适的磁转变温度，从而既保证信息改写所需要的激光功率不会过高，又要保证薄膜的磁化状态具有足够的稳定性； 较强的克尔磁光效应，即材料磁化方向不同时，偏振的偏振方向改变要大。 * 六、相变光存储（Phase Change Optical Recording） 基本原理： 在激光束照射后，硫属介质薄膜可呈现出不同的结晶状态。 在较高功率的激光照射下，薄膜材料将产生熔化现象。 在激光束照射之后，薄膜的温度将以极高的速度降低至熔点以下，这将导致被照射的区域凝固为非晶态结构。 假若激光照射功率不足以使薄膜区域熔化，但足以加热其到晶化温度以上的话，则激光照射区域将发生晶化过程而转为晶态结构。 由于晶态与非晶态区域的光学特性不同，晶态区域对光的反射能力较强，透光性较差，因而依靠不同区域对激光束的反射或透射能力的变化，就可以读出记录的信息。 * * 对相变光存储材料的性能要求包括： （1）适中的熔化功率密度； （2）晶态和非晶态两相间较高的光学性质差； （3）非晶态较高的结构稳定性； （4）足够短的再结晶加热时间； （5）足够多的读写次数后性能不发生明显退化。 纯组元Te可以满足上述的大多数要求。但在室温下，其非晶态的稳定性较差。为了提高其稳定性，可采用Te-As-Ge、Te-Se-S、Te-Se-Sb、In-Sb-Te 和Te-Ge-Sn等稳定性较好的多元硫属薄膜作为相变存储材料。 * 第六节 新型光电发射薄膜Ag-BaO Ag-BaO薄膜属于金属纳米粒子埋藏于半导体中