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第一 石墨烯材料
碳的成键形式;;石墨简介;石墨性能;;;;;石墨烯的晶格结构与其相应的倒格矢空间;石墨烯能带结构;(1)扫描隧道显微镜(STM);(2)原子力显微镜表征;(3)光学显微镜;;;石墨烯的性质;;;基底表面阵列孔洞的加工方法;;;;;;;电学性质
石墨烯的电子迁移率实验测量值超过150000cm2/(V?s),载流子浓度约为1013cm-2,在10K~100K温度范围内,迁移率几乎与温度无关;石墨烯中的主要散射机制是缺陷散射,因此可以通过提高石墨烯的完整性来增加其迁移率。长波的声学声子散射使得石墨烯的室温迁移率大约为200000cm2/(V?s),载流子浓度约为1012cm-2,其相应的电阻率为10-6Ω?cm-2,比室温电阻率最小的银的电阻率还小。硅的电子迁移率为1400cm2/(V?s),电子在石墨烯中的传输速度是在硅中的100倍,这使得开发更高速的计算机芯片和生化传感器成为可能。在常温下,即使碳原子受到挤撞,石墨烯中的传导电子所受的干??也非常小。;量子隧道效应
允许相对论的粒子有一定概率穿越比自身能量高的势垒。而在石墨烯中,量子隧道效应被发挥到极致,科学家们在石墨烯晶体上施加一个电压(相当于一个势垒) ,然后测定石墨烯的电导率。一般认为,增加了额外的势垒,部分电子不能越过势垒,使得电导率下降。但事实并非如此,所有的粒子都发生了量子隧 道效应,通过率达100%。这是石墨烯极高载流速率的来源。
;分数量子霍尔效应和异常量子霍尔效应
;整数量子霍尔效应;石墨烯的室温量子霍尔效应;石墨烯的分数量子霍尔效应;石墨烯纳米条带的导电性;;;;石墨烯的制备技术;;;;Gram-scale production of graphene based on solvothermal synthesis and sonication;;;;a, Topography image (600 600 nm; height scale, 0–10 ?; scale bar, 100 nm). b,c, Height profiles (600 nm along the x-axis) obtained from positions b and c indicated by white arrows in a. To the bottom of the image, a narrow ridge, of around 1 10-7 m width, extends beyond the bulk of the sheet. The profile across this point of the image is fully consistent with those observed elsewhere and clearly shows the narrow valley between the ridge and the neighbouring sheet. The presence of irregularly shaped sheets is a result of the sonication of the fused sheets, which fragment upon sonication.
;;Nature Nanotechnology 3, 101 - 105 (2008);;;;;nature nanotechnology, 2008, 3:563-568;Solution:;Preparation procedure;;;;XPS表征;苯甲酸苄酯;;Experimental Procedure;In all the cases the product obtained after solvothermal treatment was washed with acetone followed by water and then dried in a hot air oven at 65 ℃;(002);碳纳米管切开法(1);;;;;碳纳米管切开法(2);;碳纳米管(CNTs)能沉积到3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)自组装膜表面而定位;石墨烯的功能化;石墨烯的有机功能化; 2006 年, Stankovich 等利用有机小分子实现了石墨烯的共价键功能化, 他们首先制备了氧化石墨, 然后利用异氰酸酯与氧化石墨上的羧基和羟基反应, 制备了一系列异氰酸酯功能化的石墨烯. 该功能化石墨烯可以在 N,N-二甲基甲酰胺(DMF)等多种极性非质子溶剂中实现均匀分散,并能够长时间保持稳定; Haddon 等采用与碳纳米管功能化相类似的方法,利用十八胺(ODA)上的氨基与石墨烯氧化物中的羧基反应,制得长链烷基化学改性的石墨烯.该功能
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