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基本电路 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将它们划分为导体、绝缘体和半导体(Semiconductor)。 1.1 半导体基础知识 ·导 体: 电阻率ρ小于10-3Ω·cm ·绝缘体: ρ大于108Ω·cm ·半导体: ρ介于导体和绝缘体之间。 12’（300mm） 1.1 半导体基础知识 1、掺杂性： 半导体中掺杂后，其电阻率大大下降，晶体管。 2、热敏性： 电阻率随着温度的变化而变化，热敏电阻。 3、光敏性： 电阻率随着光照增强而下降，光敏元件。 1.1 半导体基础知识 半导体的特性 常用半导体材料有: 硅（Si）、锗（Ge），也有三-五族化合物半导体：GaAs、GaP等 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 硅原子Si 锗原子Ge 简化模型 1.1 半导体基础知识 1 . 本征半导体—Intrisic Semiconductor 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体 硅晶体的结构 制造半导体器件的硅材料纯度 “九个9” 99.9999999% 1.1 半导体基础知识 Fab18. 90 nm. Pentium 4 CPU 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 a. 单晶硅的共价键结构 1. 本征半导体—Intrisic Semiconductor 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中,因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 价电子 ——化学成分纯净的半导体晶体 1.1 半导体基础知识 b. 自由电子空穴对的产生 当温度升高或受光照射时 本征半导体会发生什么情况? 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子获得能量，部分电子挣脱原子核的束缚，成为自由电子，与此同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴(hole) 1.1 半导体基础知识 b. 自由电子空穴对的产生 本征激发（热激发） 电子和空穴都是载流子 在本征半导体中自由电子和 空穴的浓度相等 自由电子 空穴 空穴带一个单位的正电荷 c. 空穴导电 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 c. 空穴导电 原来空穴位置形成共价键，原来价电子的位置形成空穴。这个过程叫空穴的移动，空穴移动方向与价电子移动方向相反。 当产生空穴后，由于热运动，空穴周围 共价键中相近价电子很容易填补空穴。 不加外电场时，空穴的移动无规则 当外加电场时，空穴的填补也会定向 空穴导电本质：价电子的移动 1.1 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 d. 自由电子空穴的复合 1.1 半导体基础知识 d. 自由电子空穴的复合 当自由电子填补共价键中的空位(空穴)时，自由电子就会释放能量，又形成共价键。 这个过程叫电子空穴的复合 释放能量 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡，电子空穴对的浓度一定。 即使温度升高或光照,本征半导体的导电能力仍很差 1.1 半导体基础知识 2. 杂质半导体—Extrisic Semiconductor 本征半导体中掺入某些微量杂质元素的半导体， 称为杂质半导体. 在一定温度下半导体中电子浓度与空穴浓度乘积是 恒定的,与掺杂浓度无关. 本征半导体中掺入五价 杂质元素(磷、砷等) 本征半导体中掺入三价 杂质元素(硼、镓等) N型半导体 P型半导体 1.1 半导体基础知识 施主原子 多余电子 受主原子 空穴 例：在T=300K的条件下，本征硅中掺亿分之一的5价原子，硅原子的浓度已知为5.1×1022 /cm3 ，对比掺杂前后的自由电子和空穴浓度。 杂质浓度为 p ×n= pi ×ni = ni2 p = ni2 / n = (1.43 ×1010 )2 / 5.1×1014 = 4.1 ×105 /cm3 5.1×1022 /108 = 5.1×1014 /cm3 1.1 半导体基础知识 本征半导体中自由电子空穴的浓度为1.43 ×1010 /cm3 n≈ 5.1×1014 /cm3 掺入五价元素的结果是自由电子变多，空穴变少， 载流子总的浓度增加，导电能力大大增强,而且导电能力由多子决定. 掺杂前后的自由电子和空穴浓度对比 1.1 半导体基础知识 掺杂前 掺杂后 自由电子浓度 1.43 ×1010 5.1×1014 空穴浓度 1.43 ×1010 4.1 ×105 自由电子+空穴 2.86 ×1010 5.1×1014 思考：本征半导体掺杂的目的？ 结论：