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例1.3.1已知R=ex(x-x)+ey(y-y)+ez(z-z),R=|R|。证明:(1)▽R=R/R;(2)▽(1/R)=﹣R/R3;(3)▽f(R)=﹣▽f(R)。其中,▽表示对x,y,z的运算,▽表示对x,y,z的运算。例1.4.2已知R=ex(x-x)+ey(y-y)+ez(z-z),R=|R|。求矢量D=R/R3在R≠0处的散度。例1.5.1已知R=ex(x-x)+ey(y-y)+ez(z-z),R=|R|。求矢量D=R/R3在R≠0处的旋度。习题1.23证明:(1)▽?r=3;(2)▽×r=0;(3)▽(k?r)=k。其中r=ex(x)+ey(y)+ez(z),k为一常矢量。例2.4.1半径为a的球形区域内充满分布不均匀的体密度电荷,设其体密度为ρ(r)。若已知电场分布为E=er(r3+Ar2)r≤a;E=er(a5+Aa4)r﹣2 r>a。式中A为常数,试求电荷体密度ρ(r)。例2.4.2半径为a介电常数为ε的球形电介质内的极化强度为P=er k/r,式子中的k的常数。(1)计算极化电荷体密度和面密度;(2)计算电介质球内自由电荷体密度。例2.4.4内外半径分别为a,b的圆筒形磁介质中,沿轴向有电流密度为J=ezJ0的传导电流,如图。设磁介质的磁导率为μ,求此话电流分布。例2.5.3海水的电导率σ=4S/m,相对介电常数εr=81。求频率f=1MHz时,海水中的位移电流与传导电流的振幅之比。例2.5.4自由空间的磁场强度为H=exHmcos(ωt-kz)A/m,式子中的k为常数。试求位移电流密度和电场强度。例2.6.2在无源(J=0、ρ=0)的电介质(σ=0)中,若已知矢量E=exEmcos(ωt-kz)V/m,式子中的Em为振幅、ω为角频率、k为相位常数。在什么条件下,E才可能是电磁场的电场强度矢量?求出与E相应的其他场矢量。习题2.3电荷q均匀分布在半径为a的导体球面上,当导体球以角速度ω绕通过球心的z轴旋转时,试计算导体球面上的面电流密度。习题2.5一个半径为a的球形体积内均匀分布着总电荷量为q的电荷,当球体以均匀角速度ω绕一条直径旋转时,试计算球内的电流密度。习题2.15半径为a的球形体积内充满密度为ρ(r)的体电荷。若已知球形体积内外的点位移分布为D=erDr=er(r3+Ar2),0<r≦a;D=erDr=er(a5+Aa4)/r2,r≥a。式子中A为常数,试求电荷密度ρ(r)。习题2.22通过电流密度为J的均匀电流的长圆柱导体中有一平行的圆柱形空腔,其横截面如图。式计算各部分的磁感应强度,并证明空腔内的磁场是均匀的。习题2.30 媒质1的电参数为ε1=4ε0、μ1=2μ0、σ1=0;媒质2的电参数为ε2=2ε0、μ2=3μ0、σ2=0.两种媒质分界面上的法向单位是量为en=ex0.64+ey0.6-ez0.48,由媒质2指向媒质1.若已知媒质1内临近分界面上的点P处的磁感应强度B1=(ex - ey2+ez3)·sin 300t T,求P点处下列量的大小:B1n,B1t,B2n,B2t 。 例2补2 半径为a的无限长直导体通有电流I,计算导体外的H.例3.13两块无限大接地导体平板分别置于x=0和x=a处,在两板之间的x=b处有一面密度为ρs0的均匀电荷分布,如图所示。求两导体平板之间的电位和电场。例3补2 半径为a的带电导体球。已知球体电位为U(无穷远处电位为0)。试计算球外空间的电位。例3补3 如图所示。平行板电容器由两块面积为S,相隔距离为d的平行导体板组成,极板间电压为U填充的电介质介电常数为ε=εrε0.求电容量(忽略电场边缘效应)习题3.6 电场中有一半径为a、介电常数为ε的介质球,已知球内外的电位函数分别为φ1=﹣E0r cosθ+(ε-ε0)a3E0cosθ/(ε﹢2ε0)r2 (r≥a);φ2 =﹣3ε0E0r cosθ/(ε﹢2ε0) (r≤a)试验证介质球表面上的边界条件,并计算介质球表面上的束缚电荷密度。习题3.15无限长直线电流I垂直于磁导率分别为μ1和μ2的两种磁介质的分界面,如图所示,试求:(1)两种磁介质中的磁感应强度B1和B2;(2)磁化电流分布。例4.5.4 在无源(ρ=0,J=0)的自由空间中,已知电磁场的电场强度复矢量E(z)=eyE0e﹣jkz V/m。式中k和E0为常数。求:(1)磁场强度复矢量H(z);(2)瞬时坡印廷矢量S;(3)平均坡印廷矢量Sav。例5.1.1 频率为100MHz的平均平面波,在一无耗媒质中沿﹢z方向传播,其电场E=exEx。已知该媒质的相对介电常数εr=4、相对磁导率μr=1,且当t=0,z=1/8 m时,电场幅值为10﹣4 V/m。(1)求E的瞬时表达式;(2)求H的瞬时表达式。例5.1.3自由空间中平面
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