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*/23 半导体器件原理 主讲人:仇志军 本部遗传楼309室Email: zjqiu@fudan.edu.cn */23 课程代码:INFO130023.03 (研讨性课程) 课程性质:专业必修 学分:4 时间:周一(6, 7)、周三(3, 4) 教室:Z2303 课程特点:公式多、微观物理过程多 课程要求:着重物理概念及物理模型;基本的推导和计算 课程考核:期末考试,期中考试,作业+研讨+考勤 课程简介 */23 课程简介 参考书目 曾树荣,《半导体器件物理基础》,北京大学出版社(2002). 刘树林,张华曹,柴长春,《半导体器件物理》,电子工业出版社(2005). 黄均鼐,汤庭鳌,《双极型与MOS半导体器件原理》. 施敏(美)著,黄振岗译,《半导体器件物理》,电子工业出版社(1987). S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd, John Wiley and Sons Inc. (1981). 刘永,张福海编著,《晶体管原理》,国防工业出版社(2002). S. Wolf, Silicon Processing for the VLSI Era, Vol. 3, Lattice Press (1995). */23 课程简介 固体物理 量子力学 统计物理 半导体物理 半导体材料 半导体器件 半导体工艺 半导体 集成电路 */23 第一章 绪论 一、半导体器件的分类 二、本课程的任务 三、本课程的内容 */23 一. 半导体器件的分类 电子器件 光电子器件 双极 M-S(肖特基二极管) 场效应 pn 双极型晶体管(BJT) npn、pnp HBT 晶闸管 npnp MOSFET MES 同质结 HEMT 结型 光 ? 电 信息 能量 (太阳电池) 光子 热 PC PV 本征 杂质 pn pin Schottky 异质结 热电堆 高莱管 测辐射热计 热释电 电 ? 光 LED LD 同质结 DHLD QWLD */23 一. 半导体器件的分类 1956年诺贝尔物理奖 W. Shockley J. Bardeen W. Brattain */23 一. 半导体器件的分类 p+ n p E B C 发射区 基区 集电区 n+ p n E B C 发射区 基区 集电区 E C B npn E C B pnp 双极型晶体管(BJT) Silicide Silicide 典型的Bipolar-NPN晶体管剖面图 */23 一. 半导体器件的分类 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) G D B S G D B S N沟道MOSFET(N-channel) 增强型NMOS 耗尽型NMOS Tox Silicide 典型的CMOS双阱工艺:NMOS和PMOS场效应晶体管剖面图 */23 一. 半导体器件的分类 Si STI well implantations Si gate oxide poly-crystalline Si Si extension implants STI Si nitride spacers junction implants Si Silicide SiON Si PSG CMP oxide deep contact shallow contact PR 典型MOSFET制造工艺流程示意图 */23 二、本课程的任务 Moore’s Law Transistors doubling every 18 months towards the billion-transistor microprocessor */23 Transistor Scaling Transistor dimensions scale to improve performance and power and to reduce cost per transistor 二、本课程的任务 Viruses Red Blood Cell */23 Economics of Moore’s Law Price per transistor goes DOWN Source: WSTS/Dataquest/Intel 103 104 105 106 107 108 109 1010 ’70 ’75 ’80 ’85 ’90 ’95 ’00 ’05 10 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 10-7 $ per Transistor As the number of transistors goes UP Transistors per Chip 二、

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