新型宽禁带半导体与器件研究.ppt

（六）电化学C-V方法进行ZnO载流子浓度分布剖面测试的研究 为了更准确、更可靠的测试p型ZnO薄膜的电学参数 ，我们开展了 2.选用浓度为0.1mol/L的ZnCl2溶液作为电解液： ZnO是两性氧化物，可以很容易同酸和碱反应，在溶液中生成Zn2+和ZnO22-离子。对n－ZnO的ECV测试，要求电解液同ZnO样品间只发生光电化学腐蚀过程，而化学腐蚀过程、光化学腐蚀过程及电化学腐蚀过程的腐蚀速率应尽可能低。 ZnCl2在水中可水解：ZnCl2 + H2O = Zn(OH)Cl +HCl，生成的溶液显弱酸性，且选用浓度为0.1mol/L的ZnCl2溶液作为电解液，没有观察到电解液的泄漏。我们采用ZnCl2为电解液，初步测试了n-ZnO薄膜的性质，其ECV测试结果如下： 从rest potential测试中可以明显看到测试的ZnO薄膜为n型样品。 杭州 2007.11 图3是得到的I-V曲线图。从图中我们可以看出ZnCl2电解液与样品之间形成了较好的肖特基接触，光照前后电流发生变化，生长的ZnO薄膜是n型的。 图3 n型ZnO 的I-V曲线 n型ZnO的C-V曲线 图4是样品的C-V曲线。在正向偏压区(0～2.0V)，C-V曲线斜率为负，这符合n-ZnO的特性。但图中耗散因子曲线（红色曲线）所示的值较高。测量中选用的串联模式，耗散因子为D=RsωC，Rs是样品电阻，ω是测量频率，C是肖特基结的电容。是样品的前接触电极电阻过高使D值较大所致，这需要在今后的实验中，进一步优选更合适的金属作为欧姆接触电极，降低阻值到100－200Ω范围内，以得到更精确的结果。 图4 n型ZnO的C-V曲线 图5为测得的EP (etch profiling)图。由于薄膜较薄(电化学腐蚀显示样品厚约630nm)，并且存在边界效应，薄膜的表面以及ZnO/Al2O3界面处所得的数据点起伏较大并且比较分散。EP图显示薄膜的载流子浓度在1016cm-3。 图5 n型ZnO的E-P曲线 上图I-V曲线是ZnO薄膜与电解液的接触结特性，是肖特基结I-V特性，ECV测试可进行。结特性的好坏对测试结果的好坏有很大的影响在I-V曲线上可以确定腐蚀电压的大小，选择的值应是：当电压在其附近发生微小变化时电流不发生变化。 左侧插图是Rest Potential 测试对话框，它的测量结果可以当成判断薄膜导电类型的依据之一。如果是n型样品，每次测试时，左右数值发生变化，只有导电类型为p型时，数值不发生变化。图中是两次测量的结果，显示为p型。 右侧插图是Spot Measure 测试对话框，从其测试结果也可以看出薄膜的导电类型和载流子的浓度。可以作为判断的依据之二。图中显示的薄膜的导电类型为p型载流子浓度在1014 cm-3的量级上。 1/C2 上图是C-V曲线的测试结果，插图是1/C2。两图中绿色和蓝色曲线都是都是电容曲线，红色曲线是耗散因子曲线（纵坐标在右侧）。红色虚线是耗散因子为0.4时的直线。 观察绿色的曲线，其实它是三条曲线重合而成。三条曲线分别代表用三种模式（并联模式，串联模式和3T模式）对样品进行测试的结果。三条曲线越接近说明样品的质量越好，测试结果越准确。 红色是耗散因子（D）曲线的走势也可以看出样品的好坏。只有当耗散因子的值在0.4以下时，测试结果才正确。曲线在0.4以下越平整且其数值越低越好。从耗散因子曲线可以判断出测量电压的范围，即选在D值最平稳的区域。此样品的测量电压可选择的范围很大。 通过观察当D值在0.4以下时电容曲线的走势可以判断出薄膜的导电类型，即p型向上弯曲，n型向下弯曲，载流子的浓度可以从插图中1/C2的斜率计算得出。 上图是载流子浓度与测试电压关系曲线。测试系统默认蓝色的点代表n型样品，桔黄色点代表p型样品，显然所测试的样品为p型，载流子浓度为1×1014cm-3。图中除了最后三个点外在不同测试电压下所得的载流子浓度基本一致，说明所作样品质量较好。从C-V曲线不难发现，最后三个点处的D值的变化已经特别明显，因此这些点不准确。一般来说，采用ECV测试的样品的载流子浓度要比HAll测试的低2个数量级左右。但是谁更真实还有待研究。 对策： 采用非平衡生长方法和掺杂手段，突破平衡态的掺杂限制，可以获得高效p型ZnO，但这种p型ZnO处于亚稳态，因此，需考虑及保持其稳定性。 非平衡生长方法： 　相对MBE，MOCVD更接近平衡态生长，属于准平衡态生长技术，但可以通过生长条件和环境调节，使生长过程远离平衡态。 　生长动力学过程，生长热力学过程。 （二）ZnO材料的电注入发光问题 1、发光效率低 2、容易产生深能级发光 美国Cermet公司在ZnO单晶衬底