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1、满带 无外场时 E(k)=E(-k),电子在k空间是对称分布的v(k)=v(-k),k状态和-k状态的速度大小相等,方向相反, 晶体中电流为零,不导电 电子在k空间仍然对称分布,晶体中电流为零,不导电 有外场时 满带电子对导电没有贡献 2、不满带 无外场时 E(k)=E(-k),电子在k空间是对称分布的v(k)=v(-k),k状态和-k状态的速度大小相等,方向相反, 晶体中电流为零,不导电 电子在外场的作用下定向移动,在晶体中形成电流为零,导电 有外场时 不满带电子导电 3、本征激发 在一定温度下,半导体共价键上的电子依靠热激发,有可能脱离共价键,在晶体中运动,称为准自由电子。脱离共价键的最低能量就是禁带宽度 价带上的电子激发成为准自由电子,即价带电子激发成为导带电子的过程,称为本征激发 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带 4、空穴 当价带中的电子被激发到导带时,价带顶部附近出现了一些空的量子状态,在外电场的作用下,停留在价带中的电子也能够起导电的作用,把价带中这种导电作用等效于把这些空的量子状态看做带正电荷的准粒子的导电作用,常称这些空的量子状态为空穴 课堂提问 1、半导体结构分为哪几种,各有什么区别 2、半导体中电子的在周期性势场作用下作()运动,这种运动引起电子的能级发生分裂,分裂的程度与共有化程度有关,还与能级的( )有关。 3、波函数的物理意义是什么 4、自由电子的波函数与半导体中电子的波函数有什么区别 5、导体、半导体、绝缘体的能带结构及导电机理 6、简述自由电子和晶体中的E与K的关系图。 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带 4、空穴 当满带中的电子被激发到导带时,满带顶部附近出现了一些空的量子状态,在外电场的作用下,停留在满带中的电子也能够起导电的作用,把满带中这种导电作用等效于把这些空的量子状态看做带正电荷的准粒子的导电作用,常称这些空的量子状态为空穴 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 设E(0)即k=0位于带底或带顶,能带底部附近的E(k)值就很小,将E(k)在k=0处展开成泰勒级数: 当k=0时能量极小,所以 ,将上式保留到2阶项有 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 对于确定的半导体, 为一个常数,令 则 1、对于能带顶,E(k)<E(0),顾 ; 2、对于能带底,E(k)>E(0),顾 。 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 半导体中的电子 自由电子能量: 比较能量的表达式类似,常称 为能带极值附近的有效质量 1.3.1 半导体中E(k)与k的关系 在能带极值附近, 与k的关系: k 1.3.2 半导体中电子的平均速度 自由电子的能量为 可求得: 根据波粒二象性,半导体中的电子的速度与能量的关系与自由电子类似 代入速度的表达式 可得 1.3.2 半导体中电子的平均速度 自由电子速度为 半导体能带极值附近电子的速度 引进有效质量后,有类似的表达式。 注意:1、能带底 ,k为正时,v为正值; 2、能带顶 ,k为正时,v为负值。 1.3.2 半导体中电子的平均速度 半导体中电子的速度v与k的关系 1.3.3 半导体中电子的加速度 当有强度为 的外电场时,电子受到的力 则有 引进有效质量,半导体中的电子所受的外力与加速的关系和牛顿第二定律类似 1.3.4 有效质量的意义 由 可以看出有效质量概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体内部势场的作用。 引进有效质量的意义: 1.3.4 有效质量的意义 1、有效质量只是一个等效的参数 有效质量的性质: 2、有效质量不是一个常数,在能带底或顶部近似为一个常数 3、有效质量可以取正值,也可以取负值 4、有效质量与能带有关,能带越窄,二次微分越小,有效质量越大,反之有效质量小。外层电子的能带宽,有效质量小。在外力下容易或者加速度,称为自由运动的电子。 1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带 4、空穴 当满带中的电子被激发到导带时,满带顶部附近出现了一些空的量子状态,在外电场的作用下,停留在满带中的电子也能够起导电的作用,把满带中这种导电作用等效于把这些空的量子状态看做带正电荷的准粒子的导电作用,常称这些空的量子状态为空穴 1、纯净,不含任何杂质 本征半导体: 2、具有理想的晶体结构,无缺陷 实际使用时,若杂质和缺陷含量足够小,则视为本征半导体 晶体的导电性取决于电子在能带中的填充情况 满带:完全被电子占据的能带 空带:完全
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