无机材料的电学性能.pptVIP

n型半导体若发生下列吸附反应，使得空间电荷层的多数载流子浓度(电子)比内部多，形成积累层 n型半导体若发生下列吸附反应，使得空间电荷层的多数载流子浓度(电子)比内部少，形成耗尽层 质量作用定律(ni为本征载流子浓度) 反型层 nni, pni 2.半导体表面吸附气体时电导率的变化 当n型半导体负电吸附，p型半导体正电吸附时，表面形成耗尽层，因此表面电导率减少。 当n型半导体正电吸附，p型半导体负电吸附时，表面形成积累层，因此表面电导率增加。 表面控制型气敏元件就是利用表面电导率的变化来检测各种气体的存在和浓度。 ZnO半导体在温度200~500 ℃时，氧离子吸附为O-、O2-。氧吸附的结果，半导体表面电导减少，电阻增加。在这种情况下，如果接触H2、CO等还原性气体，则它们与已吸附的氧反应，反应式为 反应释放出电子，因而表面电导率增加。表面控制型气敏元件就是利用表面电导率变化的信号来检测各种气体的存在和浓度。 5.6.3 Seeback效应 + - ?V 当半导体两端存在温度差时，高温端有更多的载流子被激发 化学势梯度和电场梯度平衡的结果，在两端产生一电位差 温差电动势系数?： 温度系数?符号与载流子带电符号一致 半导体陶瓷的西贝克效应 NV：状态密度；ni：载流子浓度；A: 与能量输出的常数 Seeback效应的应用 i) 确定载流子种类 ii) 计算载流子浓度 A近似为2； 窄能带内传导 Nv=1028；A近似为零。 宽能带内传导 温差发电 该装置整体连接着两个温度不同的热源，T1为400 ～ 800K，T2 为900 ～ 1300K，工作物质是Na，借助于泵在两个热源间循环。 接触前PN半导体的能带图 接触后PN半导体的能带图 扩散电流 P区电子能级上移 势垒高度降低后不能再阻止 N 区电子向 P 区的扩散 及 P 区空穴向 N 区的扩散，于是形成正向电流 。由于正向电流的电荷来源是多子，所以正向电流很大。 外加正向电压 V 后，PN 结势垒高度由 qVd 降为 q(Vd -V) ，使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。 EF 由电子产生的净电流为： 同样由空穴产生的净电流有类似的结果，因此通过pn结的总电流可以 表达为： 多子面临的势垒提高了，更不能扩散到对方区域中去了，但少子面临的势阱也更深了，所以更容易被反向电场拉入对方区域，从而形成反向电流。 由于反向电流的电荷来源是少子，所以反向电流很小。 外加反向电压 V (V 0) 后，PN 结的势垒高度由 qVd 增高到 q(Vd -V)。 EF PN 结在正向电压下电流很大 ，在反向电压下电流很小 ，这说明 PN 结具有单向导电性，可作为二极管使用。 当负偏压继续增大时，能带弯曲变大，出现隧道效应，电流急剧增大，产生绝缘破坏，此时的电压成为反向击穿电压。 PN 结的直流电流电压特性 光生伏特效应：光照在半导体p-n结或金属-半导体接触面上时，会在p-n结或金属-半导体接触的两侧产生光生电动势； p-n结的光生伏特效应：当用适当波长的光照射p-n结时，由于内建电场的作用（不加外电场），光生电子拉向n区，光生空穴拉向p区，相当于p-n结上加一个正电压； 半导体内部产生电动势（光生电压）；如将p-n结短路，则会出现电流（光生电流）。 PN结的光生伏特效应 光照时n区产生少子空穴，p区产生少子电子； 在内建电场的作用下，n区的空穴向p区运动，而p区的电子向n区运动； 所以，光生电场由p端指向n端，使势垒降低，产生正向电流IF； 由于空穴向p区运动，所以在p-n结内部形成自n区向p区的光生电流IL 有光照 在光激发下多数载流子浓度一般改变很小，而少数载流子浓度却变化很大，因此应主要研究光生少数载流子的运动. 1. 完全导电性大多数高纯金属冷至接近0 K时，其电阻渐渐降低而趋于一个较小的极限值。但有少数材料降至一个很低的温度时其电阻突降并趋近于零，这种材料就叫做超导体，此温度就称为临界温度Tc。 七. 材料的超导性7.1 超导特性 2. 完全抗磁性 当超导体冷却到临界温度以下而转变为超导态后，只要周围的外加磁场没有强到破坏超导性的程度，超导体就会把穿透到体内的磁力线完全排斥出体外，在超导体内永远保持磁感应强度为零。超导体的这种特殊性质被称为“迈斯纳效应”。 ★迈斯纳效应与零电阻现象是超导体的两个基本特性，它们既互相独立，又密切联系。 2. 超导态的临界参数 温度（Tc）——超导体必须冷却至某一临界温度以下才能保持其超导性。 临界电流密度（Jc）——通过超导体的电流密度必须小于某一临界电流密度才能保持超导体的超导性。 临